一直有想法寫寫這些年的技術中遇到的問題與解決方法以做積累，沒有找到好的理由，這次電源網的活動是個好理由。
這些年都用到了很多的電源拓撲結構（BUCK,BOOST,FLYBACK,LLC），設計産品，做認證，到量産，設計中和調試時種種意想不到的情況時有發生，算算還是挺有意思的。
按照流水賬方式做個記錄，順便自己也可以複習一下之前的知識點,有不對的地方還望大家批評指正。
BUCK電路降壓電路輸出電壓小于輸入電壓。
調試中碰到的問題，PWM占空比不穩定，大小波，負載切載時輸出有抖動，起機過沖，滿載起機抖動，批量生産有少量IC損壞。EMC的問題，輻射超标。
1、PWM占空比不穩定，大小波。可以通過調節環路參數來處理，如圖上的C2，R2，C1,R1。設計可以參考《開關電源設計第三版》第12章圖12.12。對于改這2個參數無效果的那就要反推設計中的電感和電容是否合适，直接點就是看電感的電流波形，采用電感的串并聯觀察PWM波形變化。另外，IC的占空比如果在極限附近，如占空比90%，工作時達到88%同樣也會影響PWM的大小波，這個時候要考慮是否更換占空比更大的IC。
2、切載（滿載切空載，空載切滿載）時輸出有抖動，如振蕩2個周期以上，需要調節環路響應。
3、起機過沖，更改軟啟動電容，IC沒有軟啟動電容的情況可以在圖紙中RS1上并聯電容，或者參考參考書裡面軟啟動方案。
4、滿載起機抖動，需調節軟啟動和回報電阻電容。也有啟動時電感嘯叫的，要過電感波形看看是否飽和，需要限制電感電流，更改峰值電流電阻或者改電感。
5、批量生産時，有少量的IC損壞，之前碰到過案例，将IC的BOOT電容端增加一個穩壓管解決了。
6、輻射問題也跟整改一般的輻射問題一樣，MOSFET驅動電阻增大，MOSFET的DS并聯瓷片電容，D極串磁珠，二極管增加RC吸收，串磁珠，輸入輸出的濾波電感電容。在第三方實驗室整改輻射時可以采用套磁扣的方法找出是輸入影響還是輸出影響，或者找弄個探頭測試是哪個元器件出來的幹擾，再整改，提高效率。
7、選型需要注意的部分，開關器件都有最大電壓和電流的範圍，要挂波形看管子的應力是否有餘量，如果有-40℃的設計要降額，MOSFET的DS電壓會下降，電容的容量下降，ESR增大，高溫情況需看電感的參數，外購的電感溫度範圍一般在85℃，如果電感溫度過高，環境溫度過高會有匝間短路的風險。
BOOST電路做的案子不多，碰到的問題比較少，有用模拟IC做的，也有用單片機做的，感覺這個環路比BUCK容易調整（之前的案子，功率小于60W）。
碰到過很小的體積做LED60W電源，溫度不好整，最後用了鐵矽鋁的磁環搞定了。
FLYBACK這個是小功率電源應用很廣泛的拓撲了，大家分析也是特别多的。
我講講一款産品從設計到量産過程中的一個流程好了，以及其中碰到的問題和一些經驗。
借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明。分析裡面的電路參數設計與優化并做到認證至量産。
在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫裡面的元件，和量大的元件，友善後續降成本拿價格。
貼片電阻采用0603的5%，0805的5%，1%，貼片電容容值越大價格越高，設計時需考慮。
1、輸入端，FUSE選擇需要考慮到I2T參數。保險絲的分類，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險絲的認證是否齊全。保險絲前的安規距離2.5mm以上。設計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時，保險絲I2T是否有餘量，會不會打挂掉。
2、這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471,也有采用561的，直徑越大抗浪湧電流越大，也有增強版的10S471,14S471等，一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT了。有必要時，壓敏電阻外面包個熱縮套管。
3、NTC，這個圖中可以增加個NTC,有的客戶有限制冷啟動浪湧電流不超過60A,30A，NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時注意NTC的電壓，電流，溫度等參數。
4、共模電感，傳導與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環形的高導材料5K,7K,0K,12K,15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的最好，成本考慮，傳導輻射測試完成後才能定型。
5、X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。
6、如果做認證時有輸入L,N的放電時間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。
7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪湧電流，耐壓和散熱，防止雷擊時挂掉。
8、VCC的啟動電阻，注意啟動電阻的功耗，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V,0805一般耐壓150V，能多留餘量比較好。
9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80%容值設計，不同廠家和不同的設計經驗有點出入，有一點要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關系到電容壽命，這個看品牌和具體的系列了。
10、輸入電解電容上有并聯一個小瓷片電容，這個平時展現不出來用處，在做傳導抗擾度時有效果。
11、RCD吸收部分，R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107,FR207，整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材質）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。
12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V 2-12A足夠用與100W以内的反激，根據成本來權衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了的情況經常有。
13、MOSFET的驅動電阻一般采用10R+20R，阻值大小對應開關速度，效率，溫升。這個參數需要整改輻射時調整。
14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K-100K的電阻放電。
15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無感電阻。功率小，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現象。
16、Isense電阻到IC的Isense增加1個RC，取值1K,331，調試時可能有作用，如果采用這個TEA1832電路為參考，增加一個C并聯到GND。
17、不同的IC外圍引腳參考設計手冊即可，根據自己的經驗在IC引腳處放濾波電容。
18、更改前：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇裡面讨論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器裡面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）有興趣驗證這個公式可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
18、更改後：變壓器的設計，反激變壓器設計論壇裡面讨論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器裡面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，防止高溫時磁芯飽和。delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數（T）,Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，是以ΔB值一般取330mT以内，出現異常情況不飽和，一般取值小于300mT以内。我之前做反激變壓器取值都是小于0.3的）附，學習zhangyiping的經驗（是以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）
變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
附注：有興趣驗證這個公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結果應該是500mT左右（25℃時，飽和磁通密度510mT）。
借鑒TDG的磁芯基本特征圖。
19、輸出二極管效率要求高時，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時可以用超快恢複二極管。
20、輸出二極管并聯的RC用于抑制電壓尖峰，同時也對輻射有抑制。
21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個1K-3K左右的電阻，Vout串聯到光耦的電阻取值一般在100歐姆-1K之間。431上的C與RC用于調整環路穩定，動态響應等。
22、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機功耗。
23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時紋波電流放大1.2倍以上考慮。
24、2個輸出電容之間可以增加一個小電感，有助于抑制輻射幹擾，有了小電感後，第一個輸出電容的紋波電流就會比第二個輸出電容的紋波電流大很多，是以很多電路裡面第一個電容容量大，第二個電容容量較小。
25、輸出Vout端可以增加一個共模電感與104電容并聯，有助于傳導與輻射，還能降低紋波峰峰值。
26、需要做恒流的情況可以采用專業晶片，AP4310或者TSM103等類似晶片做，用431+358都行，注意VCC的電壓範圍，環路調節也差不多。
27、有多路輸出負載情況的話，電源的主回報電路一定要有固定輸出，或者假負載，否則會因為耦合，burst模式等問題導緻其他路輸出電壓不穩定。28、初級次級的大地之間有接個Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0.25mA，不同的産品認證對漏電流是有要求的，需注意。
算下來這麼多，電子元器件基本能定型了，整個初略的BOM可以評審并參考報價了。BOM中元器件可以多放幾個品牌友善核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路裡面增加功能電路實作。如不能實作，尋找新的IC來完成，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶溫度範圍的要求比較高，對應元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。
原理圖定型後就可以開始畫PCB了。
1、PCB對應的SCH網絡要對應，友善後續更新，花不了多少時間的。
2、PCB的元器件封裝，标準庫裡面的按實際情況需要更改，貼片元件焊盤加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm，焊盤直徑大于孔0.8mm以上，焊盤大些友善焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細節的東西多了解些對生産是很大的功勞啊。
3、安規的要求在PCB上的展現，保險絲的安規輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型号需要印在PCB上。PCB的闆材也有不同的安規要求，對應需要做的認證與供應商溝通能否滿足要求。相應的認證編号需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋牆或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。
4、橋堆前L,N走線距離2.5mm以上，橋堆後高壓+，-距離2.5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信号線遠離大電流走線，避免幹擾，IC信号檢測部分的濾波電容靠近IC，信号地與功率地分開走，星形接地，或者單點接地，最後彙總到大電容的“-”引腳，避免調試時信号受幹擾，或者抗擾度出狀況。
5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，友善過波峰焊上錫，提高産線效率，避免陰影效應，連錫，虛焊等問題出現。
6、打AI的元器件需要根據相應的規則放置元器件，之前看過一個日本的PCB，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，很漂亮。
7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關書籍。還有1種情況，PCB當單面闆布線，弄完後，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導和輻射很有效果。
8、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他幹擾的電流路徑，會不會影響IC。
PCB與元器件回來就可以開始制樣做功能調試了。
1、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒有短路，有沒有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試，變壓器同名端有沒有繞錯。
2、開始上電，我的習慣是先上100V的低壓，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動電壓，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護功能是否被觸發，或者參數不對。找不到問題，檢視IC的上電時序圖，或者IC的datasheet裡面IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭挂波形，要不怎麼炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。
3、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發現啟動時變壓器嘯叫。挂MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。
4、輸出有了，但是輸出電壓不對，或者高了，或者低了。這個需要判斷是初級到問題，還是次級的問題。挂輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對，估計就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩壓管+1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出回報431部分，或者恒流，或者過載保護等保護的動作。常見問題，光耦腳位畫錯，導緻回報到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導緻輸出電壓不對。
5、輸出電壓正常了，但是不是精确的12V或者24V，這個時候一般采用2個電阻并聯的方式來調節到精确電壓。采樣電阻必須是1%或者0.5%。
6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。挂PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期，停幾十個周期，這樣的情況調節環路。431上的C與RC，現在的很多IC内部都已經內建了補償，環路都比較好調整。環路調節沒有效果，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經認為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode。可以更改Isense電阻阻值測試。
7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一緻(改占空比，匝比)，友善後續安規測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級裡面的标準參考。
8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會影響紋波電壓。示波器測試紋波時探頭上用彈簧測試探頭測試可以避免幹擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固态電容。
9、輸出過流保護，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護，大部分IC都有內建過流或者過功率保護。過流保護一般放大1.1-1.5倍輸出電流。最大輸出電流時，元器件的應力都需要測試，并留有餘量。電流保護如增加回報環路可以做成恒流模式，無回報環路一般為打嗝保護模式。做好過流保護還需要測試滿載+電解電容的測試，用戶端有時提出的要求并未給出是否是容性負載，能帶多大的電容起機測試了後心裡比較有底。
10、輸出過壓保護，穩定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的，一個是做過壓保護的。無要求的，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護電路，或者IC裡面已經有內建的過壓保護，外圍器件很少。
11、過溫保護一般要看具體情況添加的，安規做高溫測試時對溫度都有要求，能滿足安規要求溫度都還可以，除非環境複雜或者異常情況，需要增加過溫保護電路。
12、啟動時間，一般要求為2S,或者3S内起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什麼問題。
13、上升時間和過沖，這個通過調節軟啟動和環路響應實作。
14、負載調整率和線性調整率都是通過調節環路響應來實作。
15、保持時間，更改輸入大電容容量即可。
16、輸出短路保護，現在IC的短路保護越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電，IC啟動後，Isense腳檢測過流會做短路保護，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控制住2W以内比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，并通過檢視MOSFET的SOA圖（安全工作區）對應短路是否超出設計範圍。
其他異常情況和注意：
1、空載起機後，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應電壓低導緻，增加VCC繞組匝數，還有可能是輸出回報環路不穩定，需要更新環路參數。
2、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時，VCC輔助繞組電壓高，需檢視是否過壓，或者是過流保護動作。
還有變壓器設計時按照正常輸出帶載設計，導緻重載或者過流保護前變壓器飽和。
3、元器件的應力都應測試，滿載、過載、異常測試時元器件應力都應有餘量，餘量大小看公司規定和成本考慮。
性能測試與調試基本完成。調試時把自己想成是設計這顆IC的人，就能好好了解IC的工作情況并快速解決問題。
這些全都按記憶寫的，有點亂，有些沒有記錄到，後續想到了再補上。
基本性能測試後就要做安規EMC方面的準備了。
1、溫升測試，45℃烤箱環境，輸入90，264時變壓器磁芯，線包不超過110℃，PCB在130℃以内。其他的元器件具體值參考下安規要求，溫度最難整的一般都是變壓器。
2、絕緣耐壓測試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級打AC3000V時間60S,小于10mA，産線量産可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設定10mA，測試過程中測試儀器報警，要檢查初次級距離，初級到外殼，次級到外殼距離，能把測試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。
3、對地阻抗，一般要小于0.1Ω，測試條件電流40A。
4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K，有個電阻電容模型問題。一般會把等級提高了打，打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時，共模電感底下有放電針的話，放電針會放電。電源的ESD還會在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問題和PCB的layout問題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規認證時，心裡有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎麼處理。參考EN61000-4-2。
5、EFT這個沒有出現過問題2KV。參考EN61000-4-4。
6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線沒有大問題基本PASS。碰到過雷擊不過的情況，小功率5W,10W的打挂了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打挂了MOSFET,在輸入橋堆後加入二極管與電解電容串聯，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。
EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級。一般要A等級：幹擾對電源無影響。
7、低溫起機。一般便宜的電源，溫度範圍是0-45℃，貴的，工業類，或者LED什麼的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點危險的（低溫時MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過90V輸入的時候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來。增加輸入電容容量，改小NTC,增加VCC電容，軟啟動時間加長，初級限流（輸入容量不夠，導緻電壓很低，電流很大，觸發保護）從1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓擡高；查找保護線路是否太極限，低溫被觸發（如PFC過壓易被觸發）。
基本性能和安規基本問題解決掉，剩下個傳導和輻射問題。這個時候可以跟客戶談後續價格，自己優化下線路。
跟安規工程師确認安規問題，跟産線的工程師确認後續PCB上元器件是否需要做位置的更改，産線是否友善操作等問題。或者有打AI，過回流焊波峰焊的問題，及時對元器件調整。
傳導和輻射測試大家看得比較多，論壇裡面也講的多，實際上這個是個砸錢的事情。砸錢砸多了，自然就會了，整改也就快了。能改的地方就那麼幾個。1、這個裡面看不見的，特别重要的就算是PCB了，有厲害的可以找到PCB上的線，割斷，換個走線方式就可以搞掉3個dB,餘量就有了。
2、一般看到筆記本電源擴充卡，接電腦的部分就有個很醜的砣，這個就是個EMI濾波器，從擴充卡出線的部分到筆記本電腦這麼長的距離，可以看成是1條天線，增加一個濾波器，就可以濾除損耗。是以一般開關電源的輸出端有一個濾波電感，效果也是一樣的。
3、輸入濾波電感，功率小的，UU型很好用，功率大的基本用環型和ET型。公司有傳導實驗室或者傳導儀器的倒是可以有想法了就去折騰下。要是要去第三方實驗室的就比較痛苦了，光整改材料都要帶一堆。濾波電感用高導的10K材料比較好，對傳導輻射抑制效果都不錯，如果傳導差的話，可以改12K,15K的，輻射差的話可以改5K,7K的材質。
4、輸入X電容，能用小就用小，主要是占地方。這個要配合濾波電感調整的。
5、Y電容，初次級沒有裝Y電容，或者Y電容很小的話一般從150K-30M都是飄的，或者飛出限值了的，裝個471-222就差不多了。Y電容的接法直接影響傳導與輻射的測試資料，一般為初級地接次級的地，也有初級高壓，接次級地，或者放2個Y電容初級高壓和初級地都接次級的地，沒有調好之前誰也說不準的。Y電容上串磁珠，對10MHz以上有效果，但也不全是。每個人調試傳導輻射的方法和方式都有差異機種也不同，問題也不同，是以也許我的方法隻适合我自己用。無Y方案大部分是靠改變變壓器來做的，而且功率不好做大。
6、MOSFET吸收，DS直接頂多能接個221，要不溫度就太高了，一般47pF，100pF。RCD吸收，可以在C上串個10-47Ω電阻吸收尖峰。還可以在D上串10-100Ω的電阻，MOSFET的驅動電阻也可以改為100Ω以内。
7、輸出二極管的吸收，一般采用RC吸收足夠了。
8、變壓器，變壓器有銅箔屏蔽和線屏蔽，銅箔屏蔽對傳導效果好，線屏蔽對輻射效果好。至于初包次，次包初，還有些其他的繞法都是為了好過傳導輻射。
9、對于PFC做反激電源的，輸入部分還需要增加差模電感。一般用棒形電感，或者鐵粉芯的黃白環做。
10、整改傳導的時候在10-30MHz部分盡量壓低到有15-20dB餘量，那樣輻射比較好整改。
開關頻率一般在65KHz，看傳導的時候可以看到65K的倍頻位置，一般都有很高的值。
總之：傳導的現象可以看成是功率器件的開關引起的振蕩在輸入線上被放大了顯示出來，避免振蕩信号出去就要避免高頻振蕩，或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來的時候不超标。
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