DDR3 和 DDR4 的豁口不一樣，主機闆所支援的 DDR 類型不同。
DDR SRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)：雙倍資料率同步動态随機存取存儲器，
Channel、DIMM、Rank、Chip、Bank、Row/Column
勘誤：非 32bit，8bit。rowbuffer可能多達4KB（有論文指出，rowbuffer是一頁大小），多次記憶體請求均可命中同一rowbuffer。一個chip中包含多個bank，但是一個bank隻有一個矩陣。
訪存過程
實體位址 - MMU --> CPU – DMI 總線 --> 北橋（記憶體控制器） – 解析資料（位址）–> Channel、DIMM、Rank(Side)、Chip、Bank、Row/Column …
Channel
意味着在北橋（CPU外核）存在 Channel 個記憶體控制器，每個記憶體控制器控制一個記憶體通道，理論上記憶體帶寬增加一倍。
DIMM
Dual in-line memory module
雙面 RANK 條，與 SIMM 差別。
Rank(Side實體 bank)
CPU 與記憶體之間的接口位寬是 64 位，意味着 CPU 在一個周期内會與記憶體互動 64 bit 的資料，但是 單個記憶體顆粒（Chip） 的位寬不足 64 bit，大多隻有 4bit、8bit 和 16bit，需要将多個記憶體顆粒并聯起來，組成一個位寬為 64bit的資料集合，該集合稱為 Physical Bank(RANK)。
RANK 其實是一組記憶體顆粒位寬的集合，也可以叫 Chips，在 PCB上，往往把一面上的記憶體顆粒組成一個 RANK，另一面為另一個 RANK，這樣的 RANK 也可稱為 Side。
RANK 由多個 chips 連接配接到同一個片選信号組成，北橋（記憶體控制器）能夠對同一個 RANK 的所有 chips 同時進行讀寫操作（一次性能夠處理 64 位資料）。
要準确知道記憶體條實際實體BANK數量，我們隻要将單個晶片的邏輯BANK數量和位寬以及記憶體條上晶片個數搞清楚。各個晶片位寬之和為64就是單實體BANK，如果是128就是雙實體BANK。
Chip
存儲晶片（記憶體顆粒），提供存儲功能，Chip 裡面包含多個 Bank。
一個 RANK 由多個 chips 組成 64bit，即由多個 chips 中的 bank 并聯成 64bit 資料？？。
晶片邏輯BANK位寬目前的工藝水準隻能最多做到16位，是以大家看到幾乎所有的晶片邏輯BANK位寬隻可能4/8/16三者之一。
Bank（邏輯 bank）
Bank 由很多的 Cell 組成，由行列确定一個 Cell。
具有兩個邏輯 bank 的 32Mbit 晶片：K4S160822DT（1M(cell 個數) x 8Bit(cell 大小、晶片位寬) x 2 BANK）
實體 bank (RANK)與邏輯 bank：