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20N10-ASEMI中低壓MOS管20N10
型号：20N10
品牌：ASEMI
封裝：TO-22AB
最大漏源電流：20A
漏源擊穿電壓：100V
RDS（ON）Max：0.12Ω
引腳數量：3
晶片個數：
溝道類型：N溝道MOS管
漏電流：ua
特性：N溝道MOS管、場效應管
工作溫度：-55℃~150℃
備受歡迎的20N10 MOS管
ASEMI品牌20N10是采用工藝晶片，該晶片具有良好的穩定性及抗沖擊能力，能夠持續保證了20N10的最大漏源電流20A，漏源擊穿電壓100V.
•細節展現差距
20N10,ASEMI品牌，工藝晶片，工藝制造，該産品穩定性高，抗沖擊能力強。
20N10具體參數為：最大漏源電流：20A，漏源擊穿電壓：100V，反向恢複時間： ns，封裝：TO-220AB
