1、啟動方式
s3c2440：可以從Nor flash啟動，Nor flash一般是2MB；也可以從Nandflash啟動，它一般是256MB，我們習慣上把我們的uboot，核心以及檔案系統都放到Nandflash裡面去，選擇開發闆從nandflash啟動。
當2440從nandflash啟動的時候，其位址布局是怎樣的呢？
打開晶片手冊
當處理器上電之後，它會從哪兒去取它的第一條指令呢，會從0位址處去取它的第一條指令。如果說是從nor flash來啟動，0位址處應該安排我們的nor flash，然後編寫的代碼應該放在nor flash的最前端，否則cpu去取指令會取不到。如果說從nandflash啟動的話，上圖右面看不到nandflash，由于我們的nandflash是不能直接通路的，它必須通過相應寄存器才能通路到，是以它不能直接 參與arm處理器的統一編址，那麼nandflash沒有參與統一編址，那麼0位址處又是安排的什麼呢，是bootsram，它是片内的sram，其大小為4kb，那麼到底bootsram和nandflash是什麼樣的關系呢，實際上bootsram還有一個名稱稱為steppingstone；實際上我們選擇從nandflash啟動後，一上電我們的處理器會首先自動從nandflash中把最前端的4kB複制到steppingstone裡面去，換句話說，就是處理器就間接取到了nandflash裡面的内容。由于我們的bootloader一般不止4KB，那麼nandflash後面的位元組該怎麼辦呢，那麼剩下的就要複制到記憶體裡面去了，那麼誰來做複制這個工作呢，就是前面的4KB裡面的代碼會做這個工作，那麼到底是不是這樣子操作的呢，到晶片手冊裡去搜尋steppingstone關鍵詞
s3c6410：打開晶片手冊S3C6410X，搜尋一個關鍵詞booting，
首先，它支援SROM啟動（也就是NOR flash啟動），在我們的6410當中沒有必要采用NOR flash啟動，并不是說它不支援nor flash啟動；然後，支援onenand方式啟動，它是一種特殊的nandflash，它既具有nor flash的特性，也具有nandflash的特性；然後是支援從MODEM啟動；最後是支援IROM啟動，實際上SD卡啟動和nandflash啟動都是劃歸在IROM下面的；IROM是我們處理器内部的部件或者說存儲器，IROM并不是2440裡面的墊腳石，
到底從什麼地方啟動，我們可以設定前面的引腳來決定到底從哪兒啟動，
s5pv210：首先打開一個文檔，S5PV210_UM,找到523頁
從上圖可以清晰地看到210的啟動模式，支援IROM啟動（其中包括SD卡啟動，NAND FLASH啟動）、支援USB、序列槽等啟動方式。
2、位址布局
s3c2440：那麼它從nandflash啟動，那麼我們晶片的位址布局是怎樣的呢，打開晶片手冊S3C2440這個文檔，搜尋一個關鍵詞MAPPING,找到如下：
上面有兩個表，左邊表示我們選擇從Nor flash啟動時，位址的布局，右邊表示我們從Nandflash啟動時，位址的布局。那麼當處理器上電後，它會從哪兒去取它的第一條指令呢，它會從0位址處去取第一條指令；如果我們是從nor flash啟動，那麼0位址處應該安排我們的nor flash，那麼我們的代碼應該放在nor flash的最前端，否則，cpu去取指令，發現沒有指令或者錯誤指令，那麼cpu 也沒有辦法繼續運作了。如果我們從nandflash啟動，從右邊表中沒有看到nandflash，而且nandflash它不能直接通路，也就是說不能像記憶體一樣直接去通路它，它必須通過一些寄存器才能通路到，是以說它不能直接參與arm處理器的統一編址，也就在上面右邊看不到了，那麼nandflash沒有參與統一編址，那麼0位址處安排的是什麼呢？0位址處排布的是BootSRAM，它實際上是處理器片内的一個RAM，它有4kb的大小，它還有一個名字叫做stepping stone，“墊腳石”。那麼它是沒有統一編址的nandflash是什麼關系呢？實際上，我們一旦上電之後，且選擇從nandflash啟動之後，我們的處理器首先會自動地把nandflash最前端的4kb資料複制到stepping stone裡面去，那麼我們的處理器就間接地取到了nandflash裡面的内容，然後cpu再去運作stepping stone裡面的代碼，實際上cpu就是運作的nandflash裡面最前端的4kb的内容，那麼硬體自動複制了nandflash前面的4kb過來，通過我們的bootloader不隻有4kb，那剩下的bootloader怎麼辦呢？那麼剩下的部分就要複制到記憶體裡面來了，因為stepping stone已經存不下了，那麼誰來做複制這個工作呢？當然就是前面的4kb的bootloader，它除了做一些硬體上的初始化，它還必須把剩下的代碼複制到記憶體，且運作完stepping stone裡面的4kb程式之後，然後跳轉到記憶體裡面去執行下面的代碼。
那麼我們還得關心我們的記憶體，那麼記憶體在什麼地方呢？
這個記憶體起始位址是處理器要求這麼安排的！
s3c6410：
在位址布局當中我們首先還是關心的以下幾個部件:
1、IROM在那個位置？
2、stepping stone？
3、記憶體是DRAM，在0x5000 0000位址開始的位置。
還要注意，因為我們的ARM處理器一上電，它是從我們的0位址處開始執行代碼，那麼我們就很關心，在我們6410的0位址處究竟放的是什麼東西呢， 該位址處是Booting Device Region by XOM Setting，這是一個啟動區域，靠XOM來設定，它是一個Mirrored region，鏡像區域。它的性質是不放任何裝置，是用來映射的。如果我們選擇從IROM啟動，那麼會把IROM映射到我們的鏡像區域裡面來，可以把IROM了解為0位址，那麼一旦上電就可以從IROM裡面取内容來運作。如果選擇其他方式啟動，也是同樣映射到鏡像區域裡面來；
s5pv210：
IROM大小為64KB，位址在0XD000 0000開始；有沒有墊腳石呢？其實在位址0xD002 0000開始的位置96KB的IRAM就是我們的墊腳石；
對于0位址處，是啟動區域，也是采用的映射方式，與6410一樣。
記憶體：在0x2000 0000開始的位址處，
3、啟動流程
s3c6410：如果選擇從nandflash來啟動，那麼它的啟動流程是怎樣子的呢？
打開另外一個文檔S3CJ6410_Internel_ROM_Booting,
我們已經知道nandflash啟動是屬于IROM啟動當中的一種，我們上電之後，我們選擇從IROM啟動，我們IROM映射到0位址處，是以我們的處理器首先是從IROM當中去取第一條指令，IROM裡面存放的是什麼東西呢？其實IROM裡面存放的是晶片廠商給我們固化好了的一些程式，這個程式通常稱為BL0，即bootloader的第0階段。這段代碼除了做一些硬體的初始化外，它還會做一些工作，把我們nandflash裡面的bootloader1，BL1，是nandflash最前面的8KB，拷貝到我們的stepping stone裡面來運作，那麼我們的BL1就到我們的stepping stone裡面來運作了，在運作的過程當中，我們的bootloader不止8KB還有一段程式留在nandflash裡面，那麼我們的BL1就會把nandflash剩餘的bootloader，即BL2拷貝到SDRAM裡面來運作，
s5pv210：打開文檔S5PV210_iROM_ApplicationNote_Preliminary_20091126，