有許多已建立的模型可以針對 ESD 事件測試半導體器件的可靠性，以確定有效性和可靠性。主要的 ESD 測試是人體模型 （HBM）、機器模型 （MM） 和充電裝置模型 （CDM）（圖 1）
在圖2中，這三個模型歸結為串聯 RLC 電路和脈沖發生器，但電路值和脈沖特性因模型而異。然而，所有三個測試都會産生一個短的、定義明确的 ESD 脈沖，進而導緻電流 （I ESD ） 水準與實際 ESD 事件期間所經曆的水準相當。
人體模型 （HBM） 表征電子裝置對靜電放電 （ESD） 損壞的敏感性。人體模型是模拟人體從手指通過被測裝置 （DUT） 到接地的 ESD 路徑的模型。ESD 電源電壓 （V ESD ） 為測試電路中的電容器充電。标準 HBM 測試包括 ±2 kV 的電源電壓、1 至 10 MΩ 的高值電阻和 100 pF 的電容。
機器模型 （MM） 的目的是建立更嚴格的 HBM 測試。充電電容 （C） 故意較大 （200 pF），充電源電阻值非常低；0至10Ω。這種低阻值電阻允許 ESD 源提供比 HBM 模型更高的電流。盡管此模型的目的是描述與最終使用者電子元件相關的機器 ESD 事件，但它并不旨在展現半導體最終測試和進行中使用的處理程式。
充電裝置模型 （CDM） 可以作為一次性普遍應用的 MM 的替代測試。此 CDM 測試模拟 IC 封裝或制造裝置在通過最終生産操作處理裝置時積累的電荷。在制造過程中，裝置處理裝置記憶體在産生靜電的機會。這是 IC 裝置滑下防靜電管或測試處理器的地方，這些裝置會産生電荷。
