三星半導體這幾年，小日子過的有些不順。
别的不說，差友摸摸自己的手機，看看三星晶圓廠代工的 888 、 8gen1 ，簡直可以說是冬天的暖手寶，夏日的燙手山芋。
好不容易代工出來的産品成了人人喊打的 “ 過街老鼠 ” ，而且晶片生産的良品率也不行。
甚至就連三星自己都心頭納悶啊，事後回過味來，你說為啥我自個的晶片工藝，良品率會這麼差呢？
這不，上上上上個月展開了調查，結果到現在也還沒個說法。
而且作為全球十大半導體公司，在大家都在喊着缺芯缺芯的時候，三星反而成了唯一一個第一季度收入下降的公司。。。
看着上頭的台積電，羨慕的臉都要綠了。
是以說，當年這能造相機，能造手機，能做系統，也能做晶片的三星，這幾年到底遭了什麼降頭？
手機行業吃了癟，面闆行業被國内廠商逐漸挑戰，放棄了自家的晶片架構，就連世界上唯二能量産 5nm 以下工藝的晶片代工行業，都被大家嫌棄的如此之慘？
作為一家傳承多年的公司，三星這幾年拉胯的表現可以說和内鬥脫不了關系。
這幾年下來，我們也能刷到不少這類三星新聞，包括什麼良品率不足欺上瞞下啊，什麼論資排輩，部門之間還互相嫌棄。。。咱能想到的想不到的内鬥方式，三星可能都已經嘗試過了。
這把三星太子急的， 2021 年 8 月李在镕 “ 為國 ” 出獄後，還沒三個月，公司内部就來了一波不小的人事調整。
三星移動部門，三星消費電子和裝置解決方案部門的三位 CEO 都被撤下，還将前兩個部門合并成為了新部門 SET 。
又過了一段時間，李在镕還把之前閃存開發部門的上司宋在赫調到了半導體研發部門擔任最新的負責人，派半導體裝置解決方案部門的全球制造與基礎設施副總裁南錫宇，來出任晶圓代工制造技術中心負責人。
把過去這兩位在記憶體領域搏殺的大将給派到晶圓代工領域，三星這圖謀半導體之心，可以說是非常明顯了。
畢竟，如果再和過去一樣内鬥會是什麼結果，已經很明顯了。
比良品率下降更恐怖的，就是讓先進制程的買家失去信心。
高通和英偉達，在這裡扮演的就是三星的大買家角色。
然而如今這倆一個已經跟台積電合作，緊急推出了 8+Gen1 來應對今年聯發科的崛起，一個宣布下一代 40 系列遊戲顯示卡也會基于台積電的 N4 工藝開發。
圖源：wccftech▼
不久之前也有媒體拿到了 8+Gen1 的工程機測了一下，和之前三星代工的 8Gen1 相比呢。。。也就性能高了一點，功耗更低了一些。。。
這屬實是撞車不可怕，誰差誰尴尬了。
圖源極客灣▼
差評君還聽到一個晶片行業地獄笑話：
過去大家做晶片呢，是一手交錢，一手按消耗的晶圓數量來給你生産，各家有各家的良品率，能做出多少晶片全憑良品率來摸獎，大家相安無事好多年。
而到了三星這邊，因為良品率實在不好恭維。是以它們變成了按照最後實際能生産出多少晶片來計算。。。
一手交錢，一手交晶片。
。。。的确是讓三星自個兒都納悶為啥這麼差的良品率了。
當然，晶片工藝，敗也技術，成也技術。
畢竟現在 5nm ， 4nm 的名稱，更多還是廠商用來宣傳自己的工藝節點的一種叫法，而并沒有絕對的實體意義指代。
為啥三星現在這麼尴尬，很大程度上就是因為最新的晶片造的不如隔壁台積電好，良品率，功耗，半導體密度都幹不過别人。
各家工藝密度圖，來源：Digtimes▼
是以，如果下回三星造的晶片良品率更好，功耗更低，半導體密度更優秀，那這些煩人的問題不就都解決了嗎。
巧了，三星也是這麼想的，而它們壓注的未來，就是 3nm 技術。
三星，将是世界上第一個邁入 GAA 結構的晶圓廠。
GAA 是啥？簡單來講，它很可能是我們手機 SoC 上會采用的下一代半導體技術。
這幾年, 随着摩爾定律的演變，晶片越做越小了，半導體的功耗也越來越低，但是随着半導體越來越小吧，新的問題——漏電也如期而至。
随着晶片設計進入納米領域之後，靜态功耗的漏電問題就開始翻車。
打個比方，如果把半導體看作一個 “ 開關 ” ，那漏電問題就像是這個開關沒接通，但是還會存在漏電流。
這就是 “ 短溝道效應 ” ，想要減少它帶來的漏電功耗，就需要找到新的結構或者新的材料。
在把晶片做到 22nm 之後，大家采用的技術叫做 FinFET （ 鳍式場效應半導體 ）。
通過 “ 嵌入 ” 的方式增大接觸面積，來獲得更好的漏電控制性能，有點像把之前一維的半導體做成二維。
而如今晶片越來越小，做到 3nm 的門檻上， FinFET 也不太夠用了。
而這回，大家夥倒騰出來解決問題的未來新工藝，叫做 GAA （ 全環栅半導體 ）。
這個就有點像二維變成了三維， FinFET 時的三面環繞變成了四面環繞，這樣才能對蠢蠢欲動的電子一網打盡。
根據三星的報道，和自家的7nm 工藝相比，自家 GAA 的初始版本 3GAE （ 3nm Gate-All _ Around Early ）可以減少 35% 的晶片面積，提高 30% 的性能，降低 50% 的功耗。
這餅看着挺香啊。。。提升 30% 的性能，降低 50% 的功耗。。。有這提升，啥火龍不得乖乖躺下，給咱們變成冰龍。
欸不是，等等等等，你咋是和 2017 年量産的 7nm 工藝來比 3nm 的，為啥不用明顯更接近的 4nm ？
好吧，其實是三星也給了 3nm 和 4nm 工藝的技術對比，但是——沒有完全給。
對比圖的的确确是給了一張，但是吧。。。也隻有這一張，這橫縱坐标的标尺呢？比較的起始機關又是多少？
你倒是告訴我強了多少啊？
我看你是完全不懂哦. jpg
作為在 GAA 領域 “ 第一個吃螃蟹的人 ” 咱能了解三星會面臨不少的技術挑戰。
但是你看看三星計劃要量産 3nm 的時間哈，2022 年第二季度。
本來自家的 5nm 和 4nm 相比台積電就有些注水，在半導體密度上就有些落後。
不知道三星這算不算 “ 趕鴨子上架 ” 整出來的初代的 GAA 能否和台積電的高密度成熟 finFET 來競争，可能還得打個問号。
在過去，新工藝疊代節點的第一批産品，也出現過實際體驗的性能反而比不過上一代工藝增強節點産品的情況。（ 比如英特爾 10nm 和 14++ ）
除開兩家公司技術路線的不同，三星想要在 3nm ，或者 2nm 階段實作對台積電的反擊，還得過光刻機這一關。
在這方面，台積電和ASML 可以說是有深厚的革命戰友友誼。
20 年前的 ASML 在光刻領域還是名不見經傳，靠的就是和台積電的深度合作，在對的時間遇到了對的人。
兩家公司一起攜手發展 193nm 浸潤式光刻技術。把曾經的光刻機巨頭尼康給趕了出去。
從 20 年前的 45nm 到前些年的 7nm 工藝，靠的都是浸潤式光刻技術。
三星可不像台積電有這層關系，隻得看着光刻機眼紅，另尋它法。
你看出獄沒多久，剛整治完内部的李在镕，上周前往歐洲諸國，别的地方沒多停留，直接就跑到荷蘭去，跟 ASML 的高層與荷蘭的總理談笑風生。
這一切的目的，都是為了最新的 EUV （ 極紫外光 ）光刻機。
總的來說，三星雖然如今在 5nm ， 4nm 的市場失去了先機，但也不代表着它完全失去了反擊的機會。
畢竟，晶片行業是個競争異常緊湊的市場，曾經的頭牌如果走錯一步，可能就會在下一代工藝裡失去領先的優勢。
萬一台積電的 3nm FinFET 如果真的因為控制不住功耗翻車了呢？
“ 王權沒有永恒 ” ，在這個行業裡，領頭羊走岔路可謂是家常便飯。
在過去， 14nm 工藝門後的英特爾是如此，在現在， 7nm 門前的三星也是如此，在未來，在 3nm 門檻上依舊堅持選擇用 FinFET 的台積電可能也如此。
但不論如何，把翻身的機會寄希望于别人翻車是不靠譜的。
2022 年的 Q2 季度已經過了一半多，現在留給三星的時間已經不多了。