4月12日，株洲中車時代電氣釋出關于自願披露控股子公司投資碳化矽晶片生産線技術能力提升建設項目的公告。公告顯示，公司控股子公司株洲中車時代半導體拟投資4.62億元進行碳化矽晶片生産線技術能力提升建設項目。
△Source：時代電氣公告截圖
1►推動第三代半導體關鍵晶片自主化
公告顯示，碳化矽晶片生産線相關項目主要對湖南省株洲市田心工業園區内碳化矽晶片線廠房進行改造更新，改造既有裝置，新增工藝裝置及工藝輔助裝置，資訊化軟體新增或實施服務；裝修潔淨室，配套進行廠務擴容，新增公用裝置。
項目建成達産後，将現有平面栅SiC MOSFET晶片技術能力提升到滿足溝槽栅SiC MOSFET晶片研發能力，将現有4英寸SiC晶片線提升到6英寸，将現有4英寸SiC晶片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC晶片線25000片/年。
目前，第三代半導體市場廣闊，集邦咨詢表示，相較于Si，SiC在高壓的系統中有更好的性能展現，有望逐漸替代部分Si base設計，大幅提高汽車性能并優化整車架構，預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。
時代電氣表示，通過本項目實施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC晶片量産生産線，并進一步研發高性能的新産品，可以進一步推進中車時代半導體工藝技術進步，提升産業化水準，實作國家第三代半導體關鍵晶片自主化，提升國際競争力，保障第三代半導體産業的可持續發展具有重要意義。
2►原有産線助力6英寸SiC晶片線建設
公開資料顯示，時代電氣主要從事軌道交通裝備産品的研發、設計、制造、銷售并提供相關服務，具有“器件+系統+整機”的産業結構。同時，公司在功率半導體器件、工業變流産品、新能源汽車電驅系統、傳感器件、海工裝備等領域開展業務。
2021年9月7日時代電氣科創闆上市，截至今日中午收盤，市值達618.33億。
近年來，時代電氣持續發力第三代半導體。3月29日，時代電氣釋出2021年年報，公司主營收入151.21億元，歸母淨利潤20.18億元，其中功率半導體器件收入10.68億元，同比增加33.26%。
△Source：時代電氣财報截圖
公告顯示，時代電氣早在“十三五”期間，就建成了碳化矽晶片線，實作了在碳化矽技術領域從無到有的突破。據時代電氣官方消息顯示，2018年年初，中車時代電氣6英寸SiC生産線首批晶片試制成功，該生産線具備了完整的SiC晶片制造生産能力。而此次項目是在原有産線上進行改造更新，具備較好的實施基礎。
在技術基礎上，時代電氣在碳化矽器件領域已申請多項發明專利及發表多篇論文，并且完成了第一代技術産品的開發和技術積累，已形成成熟的SiC晶片産品“設計-制造-測試-子產品”完整能力，公司SiC産品在地鐵、新能源汽車、光伏等市場領域均已實作應用示範。
據悉，時代電氣建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化矽的産業化基地，擁有晶片、子產品、元件及應用的全套自主技術，除雙極器件和IGBT器件在輸配電、軌道交通、新能源等領域得到廣泛應用外，公司的“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件産品研制與應用驗證”項目已認證科技成果鑒定，實作了高性能SiC SBD五個代表品種和SiC MOSFET三個代表品種，部分産品已得到應用。
此外，時代電氣有過多條産業化半導體生産線的建設經驗，從4~6英寸大功率晶閘管生産線至8英寸IGBT生産線，技術團隊具備豐富的項目組織經驗與能力。
3►結語
集邦咨詢表示，現階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM大廠8英寸進展超乎預期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉8英寸需要一定的時間周期，是以，至少未來5年内6英寸SiC襯底都仍為主流。
時代電氣此次提升碳化矽晶片生産線技術能力既順應了行業發展大勢，也是穩步推進公司第三代半導體關鍵晶片自主化，加速推動國産替代。