随着固态硬碟在市場上的大量應用，大資料時代之下的AI、人工智能、高規格視訊等應用與技術對存儲的要求也越來越高。固态硬碟NAND層數越來越密，主要性能也逐年攀升，與固态硬碟相關的技術、規範也在随之更新。
其中，SATA率先成為個人電腦中連接配接SSD的主要方式。但是由于設計之初SATA作為串行接口，采用AHCI規範，隻有1個深度為32的指令隊列。伴随着時間的推移，越來越難滿足速度日益提高的SSD。于是，高端SSD開始采用PCIe總線以提供更高性能，但由于沒有統一标準，需使用非标準規範的接口。
NVMe的技術工作始于2009年，由來自全球90多家公司組成的NVM Express工作組制定相關規範。由于其擁有65535個指令隊列，每個隊列都可以深達65536個指令，同時也充分使用了MSI的2048個中斷向量優勢，大大減小延遲。NVMe在性能和标準化上的大為改進，成為了衆多公司所推崇的規範。
2011年，NVMe 1.0版本正式推出，最大帶寬為1200MB/s；
2012年，IDT釋出了第一批商用NVMe晶片組；
2013年，三星推出第一款NVMe固态硬碟；
2014年，NVMe正式注冊成立集團，由來自行業中超過65家公司組成，共同維護和促進NVM Express規範的推行；
2017年，推出的NVMe 1.3在PCIe Gen3 SSD上得以大量應用；
2019年，NVMe1.4推出，成為PCIe Gen4 SSD的标配；
2021年6月，NVMe 2.0推出，到2022年1月，NVMe 2.0b推出，進一步完善。重組後的NVMe 2.0規範支援更快更簡易地開發NVMe解決方案，在此前的基礎上增加了對機械硬碟的支援，并且新增了可擴充性的指令集，如：分區命名空間（ZNS）以及鍵值（KV）等新功能。
經過多次更新後，NVMe 2.0規範中的ZNS現已支援根據資料使用頻率進行分區，并将它們按順序存儲在固态硬碟内的獨立區域，進而減少對存儲資料的重寫和重新排列，降低硬碟的寫入放大系數（write amplification factor，WAF），最終實作整體硬碟的性能和壽命的提高。
ZNS還能減少固态硬碟對于DRAM緩存容量的需求。在傳統固态硬碟上，需要按照1GB:1MB的比例配置DRAM緩存，才能保證固态硬碟保持出色的存儲速度。而在ZNS固态硬碟上，每個映射分區的容量從4KB上升到了幾十或者幾百MB，對于容量更大的企業級硬碟而言則能省下更多DRAM緩存容量。
預計ZNS可減少8倍的DRAM緩存容量需求，并減少約10倍的OP預留白間需求。在此基礎上，既降低的DRAM緩存配置成本，同時又提高了使用者可使用硬碟容量，不僅是對于消費級固态硬碟，對于更大容量的企業級固态硬碟同樣有着不可小觑的吸引力。
KV（key-value）指令集是 NVMe 2.0 的另一個重要功能，KV指令集将允許應用程式使用KV對（key-value pairs）與硬碟控制器通信，而不是通過塊位址。以免除鍵和邏輯區塊之間不必要的轉換表（translation tables），降低CPU計算負荷進而降低整體開銷。
Endurance Group Management同樣是NVMe 2.0規範中的一項重要功能，通過這種全新的存儲管理機制，可以靈活并動态地調節SSD配置，以實作動态容量管理和混合式NAND操作。以提升SSD的通路力度，并在整體上實作對儲存設備更好的控制。
以上功能點的實作，離不開固态硬碟的主要晶片。根據ZNS分區命名空間，慧榮科技獨家的硬體和固件技術，能根據不同應用需求将工作負載分别安排在不同的微處理器上，在NAND Flash實作Zone分割的同時也對主要晶片做隔離化處理，實作更靈活的控制調節和更高效能優化。
在諸多優點和改進下，NVMe将會為企業級固态硬碟帶來更長使用壽命、更靈活管理機制和更低開銷，将會成為企業級固态硬碟下一個重要技術節點趨勢。慧榮科技作為全球領先的閃存主要晶片制造商，始終緊跟業界動态，積極應對創新技術和規範，NVMe 2.0産品及解決方案即将準備就緒，為大資料時代下的資料中心提供更高性能、更具BOM優勢的企業級存儲解決方案。