今天上午華為公布了一項自研晶片的專利，大體是通過晶片堆疊的方式進行晶片的封裝，并且利用該方法，能夠采用矽通孔技術而導緻的成本高的問題，以面積争取更多的性能。
該專利的亮點在于有限供電的需求下，能夠保證不錯的功耗，進而節約更高的額成本，讓機關功率下的半導體晶片産生更高的性能。
整體的晶片堆疊設計比較複雜，基本是由于第一走線結構“10”連結第二結構“20”，在二者之間堆疊兩顆晶片（101、102）。
前不久在公開場合，華為輪值董事長郭平表示，未來華為對于多核架構的晶片有着很多的解決方案，目前的方案隻是首批的之一，未來可期。
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