非易失性FRAM中的預充電操作

鐵電存儲器（FRAM）是一種随機存取存儲器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它将DRAM的快速讀取和寫入通路,它是個人電腦存儲中最常用的類型，與在電源關掉後保留資料能力（就像其他穩定的儲存設備一樣，如隻讀存儲器和閃存）結合起來。

預充電是FRAM的内部條件，在該條件下，存儲器被調适以進行新的通路。

FRAM裝置中的預充電操作在以下任何條件下啟動：

1.驅動晶片使能信号/CE至高電平

2.更改高位位址位（例如，裝置FM28V100的A16-A3）

FRAM中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀态才能感覺其狀态。在初始讀取之後，讀取操作必須将極化恢複到其原始狀态，這會增加讀取操作的周期時間。FRAM的讀和寫周期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始通路時間。