記憶體性能參數詳解
先說說最有效提高你機器記憶體性能的幾個參數：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列位址選通脈沖潛伏期” BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，這個值一般是1.5~3之間，一般體質較好的能達到2（1.5好像沒見過，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到這個值，值越低表示記憶體傳輸資料所需時鐘周期越短，當然性能也就越高啦。
RAS Precharge Time “行預充電時間” BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。與CL一樣，它也是越小越好。不過必須得注意一下記憶體的自身素質，很多時候設定為最小值會導緻系統失敗。
RAS－to－CAS Delay“行尋址至列尋址延遲時間” BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。與CL一樣，數值越小越好。
一般想提高系統記憶體性能的使用者，設定好以上幾個數值就好了，試試吧，呵呵，誰都想讓自己的愛機跑的更快一些吧：）其他參數可以點選下面的連結
Automatic Configuration“自動設定”
（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）
在各大品牌主機闆中可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的記憶體時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數清單。
Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這裡的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的記憶體晶片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank資訊來自動設定的）。
Burst Length“突發長度”（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定（操作強度大就設為8，很普遍的日常應用就設為4）。
Command Rate“首指令延遲”
（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR記憶體的尋址，先要進行晶片的選擇（通過DIMM上CS片選信号進行），然後才是具體的尋址指令。這個參數的含義就是指在晶片選擇完之後多少時間可以發出具體尋址的尋址指令，機關是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當随着主機闆上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也随之增加，過短的指令間隔可能會影響穩定性。是以，當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要将此參數調長。
Active to Precharge Delay“行有效至行預充電時間”