三星電子欲開發全球首個3D DRAM，有望2025年問世

鞭牛士 1月19日消息，據BusinessKorea報道，三星電子正在加快3D DRAM的研究和開發，這家半導體巨頭已經開始加強相關團隊建設，比如招聘人員。

過去，DRAM是通過将半導體和電容器排在一個平面上生産的。然而，随着20世紀80年代末DRAM容量超過4兆，提DRAM 的密度變得困難，使得重新排列電路和電容成為必然。當時，DRAM行業分為“溝槽組”和“堆棧組”，前者選擇将電路和儲存器放在平面下，後者選擇将它們堆積在平面上。

日本的東芝和NEC以及美國的IBM更傾向于溝槽法，而三星電子則選擇堆疊法。

當時，三星電子采用堆疊法是因為這是一種更容易制DRAM 和檢查生産過程中問題的方法。是以，三星電子可以建立一個半導體帝國，并在大約30年的時間裡一直保持其在DRAM市場上的第一地位。

在堆疊法變得普遍之後，晶片制造商通過縮小單元尺寸或間距來提高DRAM的性能。然而，在有限的空間内增加單元的數量，他們遇到了實體限制。另一個問題是，如果電容器變得越來越薄，它們可能會坍塌。3D DRAM的概念就是在這種背景下提出的，目前的DRAM可以被稱為2D DRAM。

據報道，三星電子已經開始開發一種躺着堆疊單元的技術。這是與高帶寬記憶體（HBM）不同的概念，後者是通過将多個模具堆疊在一起産生的。

此外，三星電子還在考慮增加DRAM半導體的栅極（電流門）和通道（電流路徑）之間的接觸面。這意味着三面接觸的 FinFet 技術和四面接觸的 Gate-all-around（GAA）技術可以用于DRAM生産。當栅極和通道之間的接觸面增加時，半導體可以更精确地控制電流的流動。

據了解，美光科技和SK海力士也在考慮開發3D DRAM。美光送出了一份與三星電子不同的3D DRAM的專利申請。美光公司的方法是在不鋪設單元的情況下改變半導體和電容器的形狀。Applied Materials和Lam Research等全球半導體裝置制造商也開始開發與3D DRAM有關的解決方案。

然而，由于開發新材料的困難和實體限制，3D DRAM的商業化還需要一些時間。業内人士預測，3D DRAM将在 2025 年左右問世。