武漢：到 2025 年，晶片産業産值超過 1200 億元

IT之家 1 月 18 日消息，據武漢市人民政府網站，武漢市人民政府辦公廳本月釋出了《關于促進半導體産業創新發展的意見》（以下簡稱《意見》）。

IT之家了解到，《意見》提出，到 2025 年，武漢全市半導體産業能級明顯提升，産業結構更加合理，裝置、材料、封測配套水準對關鍵領域形成有力支撐。

産業規模方面，到 2025 年，晶片産業産值超過 1200 億元，半導體顯示産業産值超過 1000 億元，第三代半導體産業初具規模。

技術水準方面，到 2025 年，發明專利年均增速超過 15%，建立 3—5 個國家級創新平台，牽頭制定 2—4 項行業标準，突破一批關鍵核心技術，實作一批關鍵技術轉化和應用。

市場主體方面，到 2025 年，培育形成 5 家銷售收入超過 100 億元的晶片企業、5 家銷售收入超過 100 億元的半導體顯示企業、5 家銷售收入超過 10 億元的半導體裝置與材料企業，半導體企業總數超過 500 家，上市企業新增 3—5 家。

《意見》提出的重點任務和産業布局如下：

重點任務

（一）瞄準薄弱環節補鍊

1.增強內建電路裝置、材料和封測配套能力。在裝置環節，聚焦三維內建特色工藝，研發刻蝕、沉積和封裝裝置，引入化學機械研磨（CMP）機、離子注入機等國産裝置生産項目；在材料環節，圍繞先進存儲器工藝，開發抛光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大矽片等材料項目；在封測環節，引進和培育國内外封裝測試領軍企業，突破先進存儲器封裝工藝，推進多晶片子產品、晶片級封裝、系統級封裝等先進封裝技術産業化。

2.加快半導體顯示裝置和材料國産化替代。在裝置環節，聚焦有機發光二極管（OLED）中小尺寸面闆工藝，研發光學檢測、模組自動化裝置，引入顯示面闆噴印、刻蝕機、薄膜制備等國産裝置生産項目；在材料環節，支援液晶玻璃基闆生産項目建設，加快 OLED 發光材料、柔性基闆材料的研發及産業化，引入濾光片、偏光片、靶材等國産材料生産項目。

3.布局第三代半導體襯底及外延制備。在裝置環節，支援實體氣相傳輸法（PVT）裝置、金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝裝置的研發及産業化；在材料環節，引進碳化矽（SiC）襯底、SiC 外延、氮化镓（GaN）襯底生産線，布局 GaN 外延晶片産線。

（二）立足現有基礎強鍊

1.打造存儲、光電晶片産業高地。在存儲晶片領域，重點引入控制器晶片和模組開發等産業鍊配套企業，研發超高層數三維閃存晶片、40 納米以下代碼型閃存、動态随機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體晶片等先進存儲晶片；在光電晶片領域，支援 25G 以上光收發晶片、50G 以上相幹光通信晶片的研發及産業化，布局矽基光通信晶片、高端光傳感晶片、大功率雷射器晶片等高端光電晶片制造項目。

2.建設國内重要半導體顯示産業基地。在顯示面闆領域，引進大尺寸 OLED、量子點顯示、亞毫米發光二極管（MiniLED）顯示等面闆生産項目，布局微米級發光二極管（MicroLED）顯示、雷射顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來顯示技術研發及産業化；在顯示模組領域，支援全面屏、柔性屏模組的研發及産業化，加快開發高端面闆屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生産項目，逐漸提升對中高端面闆的産業配套能力。

（三）聚焦熱點領域延鍊

1.通信射頻晶片。支援 5G 絕緣襯底上矽（SOI）架構射頻晶片、射頻電子設計自動化（EDA）軟體研發；面向 5G 基站、核心網、接入網等基礎設施市場，重點發展基帶晶片、通信電晶片、濾波器等關鍵晶片。

2.通用邏輯晶片。加快圖形處理器（GPU）、顯控晶片的開發及應用，提升知識産權（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能晶片等邏輯晶片的設計支撐能力，布局信創領域處理器項目。

3.北鬥導航晶片。支援研發北鬥三号系統的新一代導航晶片、28 納米高精度消費類北鬥導航定位晶片、新一代多模多頻高精度基帶系統級晶片；面向交通、物流、農業、城市管理等領域開發通導一體化北鬥晶片，拓展北鬥應用。

4.車規級晶片。推進數字座艙晶片、駕駛輔助晶片、功率器件、汽車傳感器等車規級晶片研發及産業化項目；面向新能源汽車，布局動力系統、主被動安全系統、娛樂資訊系統、車内網絡、照明系統車規級晶片産業化項目。

（四）圍繞前沿領域建鍊

1.第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個應用方向，引入碳化矽（SiC）功率半導體、氮化镓（GaN）充電子產品、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件項目；支援中高壓 SiC 功率子產品、GaN 5G 射頻開關、紫外 LED 的研發及産業化，突破 SiC 絕緣栅雙極型半導體（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED 關鍵技術。

2.量子晶片。支援單光子源、雷射器、探測器等光量子晶片的研發及産業化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生産項目；開展量子通信、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算晶片共性前沿技術攻關。

産業布局

（一）打造相對完整的內建電路産業鍊聚集區。重點發展三維內建工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進存儲器等重點制造項目建設；重點發展中高端晶片設計、IP 核設計、EDA 軟體等産業，加快推進精簡指令集（RISC—V）産學研基地建設；培育裝備、材料、零部件、封測等産業，加快推進矽基 SOI 半導體材料、光刻材料及電子溶劑、築芯産業園等配套項目建設。

（二）建構差異化半導體顯示産業核心區。重點發展中小尺寸顯示面闆、大尺寸顯示面闆等産業，加快半導體顯示産業鍊向上下遊延伸發展，培育核心裝置、關鍵材料、模組、元器件、顯示終端等産業，推進華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴産、創維 MiniLED 顯示産業園等項目建設。

（三）建立半導體特色産業區。重點發展光電晶片、第三代化合物半導體等産業，推進紅外傳感晶片制造、微機電（MEMS）與傳感工業技術研究院等項目建設；培育車規級晶片、工控晶片等産業，推進國家新能源和智能網聯汽車基地建設；培育顯示晶片、資訊安全晶片等産業，推進國家網絡安全人才與創新基地建設；培育人工智能晶片、通用邏輯晶片等産業，推進國家新一代人工智能創新發展試驗區建設。