三星展示世界首款基于MRAM的記憶體内計算，可用于下一代AI運算

該研究是由三星進階技術研究院（SAIT）與三星電子代工業務和半導體研發中心一起展開，由SAIT員工研究員Seungchul Jung博士、SAIT研究員、哈佛大學教授Donhee Ham博士、以及SAIT技術副總裁Sang Joon Kim博士帶領的團隊進行。

在現代标準計算機架構中，資料存儲在記憶體晶片中，資料計算在處理器中進行。相比之下，記憶體計算是一種新的計算方式，旨在記憶體網絡中同時執行資料存儲和資料計算。由于該方案可以處理存儲在記憶體本身的大量資料，而無需将資料傳輸，而且記憶體中的資料處理會以高度并行的方式進行，将可以大大降低功耗。是以，記憶體計算已成為實作下一代低功耗人工智能半導體晶片最有前途的技術之一。

三星的研究人員通過架構創新提供了解決方案，成功開發了一種MRAM陣列晶片，應用了名為“電阻總和（resistance sum）”新型記憶體計算架構，解決了單個MRAM器件的小電阻問題。三星的研究團隊通過該MRAM晶片進行AI運算，并對其性能進行了測試，結果顯示在手寫數字分類方面的準确率達到了98%，而在場景中檢測人臉方面的準确率達到了93%。

三星認為，MRAM晶片未來還能作為下載下傳生物神經元網絡的平台，因為其計算架構與大腦神經元網絡較為類似。