1 MCU對于異常/中斷向量表和服務程式的存儲結構 傳統的MCU包含三種存儲，ROM，RAM，Flash（Flash是泛指Non-volatile存儲，包含eFlash，Nor flash，Nand flash，EEPROM，RAM等一些列存儲）。這三類存儲在MCU設計中負責不同的功能，ROM主要負責最初的程式燒寫和第一級引導，Flash包含Bootloader和OS以及APP，RAM主要是運作過程中的堆棧，以及變量，資料等。 關于異常和中斷，在8系列處理器中中斷屬于一種特殊的異常，是以經常會出現在一起描述，異常主要指的是CPU自身定義的一系列需要及時響應的事件，往往這些事件的産生會影響CPU的正常執行，比如說發生總線通路錯誤，執行非法指令等。異常的響應需要設定目前PSR上的EE位。異常在異常/中斷向量表中使用0~31号。中斷往往是系統中裝置産生的事件，需要CPU及時處理，比如定時器中斷，UART資料接收中斷等，中斷的響應需要設定目前PSR上的EE位，VIC的中斷使能寄存器，裝置的中斷使能寄存器。中斷在異常/中斷向量表中使用32号之後，根據實際支援的中斷數來确定表項的結尾。 本次介紹主要介紹和異常，中斷相關的幾種存儲方式，在傳統的處理器設計中，中斷和異常是需要通過異常/中斷向量表作為索引的，根據不同的應用場景會出現一張或者多張一場異常/中斷向量表，下面就幾種主要的場景做一下簡單的分析： 1.1 異常/中斷向量表僅存放在ROM中 此類應用場景往往比較簡單，且程式相對固定，實際使用場景非常少，因為ROM本身的特性呈現出無法修改的屬性，是以一旦異常/中斷向量表确定之後，後續就無法進一步修改，程式開發需要根據這個異常/中斷向量表中的位址作為異常服務程式和中斷服務程式起始位址。異常/中斷向量表根據VBR（vector base register）寄存器來實作索引，例如：晶片上電時，複位之後VBR預設為0，則此時異常/中斷向量表預設指向0位址（一般為ROM起始位址），是以上電複位異常的入口，即程式入口位址就存放在0位址上，如下圖的黃色部分Reset_handler。
1.2 異常/中斷向量表存放在ROM和FLASH中 此類應用往往ROM功能比較簡單，一般不需要再ROM程式中産生異常，異常/中斷向量表主要實作複位異常。在程式進入到FLASH中之後可以由使用者自定義異常/中斷向量表和異常服務程式，優點是相對直接異常/中斷向量表放在ROM中的會比較靈活，所有位址的修改隻需要重新編譯之後就可以實作，也可以通過程式直接注冊，完成異常服務程式和異常/中斷向量表的連結。 當需要兩張或者以上的異常/中斷向量表的時候，在向量表切換的時候需要通過維護VBR（vector base register）寄存器來完成兩張異常/中斷向量表的切換，例如：晶片上電時，複位之後VBR預設為0，則此時異常/中斷向量表預設指向0位址（一般為ROM起始位址），是以上電複位異常的入口，即程式入口位址就存放在0位址上，如下圖的黃色部分Reset_handler。當VBR寄存器被修改之後，例如改成Exp Base Addr，則此時異常/中斷向量表被指向到Exp Base Addr位址所對應的位置，如果此時發生2号異常，則會從綠色位址擷取2号異常的服務程式入口，即Exp#2_handler。此時0位址上的異常/中斷向量表不再起做用，此處需要特殊标注的是對于複位異常，因為晶片複位之後的起始狀态VBR寄存器是0，是以複位異常是不會被重定向，永遠隻會從0位址擷取入口，除此之外的所有異常和中斷時可以被重定向到其他的位址上去，也就是意味這Exp Base Addr上的Reset_handler是永遠不會起作用的。
2 帶TEE的MCU對于異常/中斷向量表和服務程式的存儲結構 帶TEE的MCU的基本存儲結構和普通MCU一緻，即ROM，Flash，RAM。由于引入TEE的概念，在傳統MCU的基礎上會增加一個新的運作模式，即TEE。TEE下需要維護其自身的異常/中斷向量表和對應的異常服務程式，基本結構和1.2章節中描述的結構一緻。 TEE下響應REE的中斷，需要提前設定好REE下的PSR的EE和IE位，設定好VIC中的中斷使能寄存器，并且将對應的中斷設定成非安全中斷，設定對應裝置的中斷使能，滿足以上條件的情況下，TEE下就可以響應REE的中斷。 REE下響應TEE的中斷，需要提前設定好TEE下的PSR的EE和IE位，設定好VIC中的中斷使能寄存器，并且将對應的中斷設定成安全中斷，設定對應裝置的中斷使能，滿足以上條件的情況下，TEE下就可以響應REE的中斷。 目前TEE-Lite的體系架構不支援在TEE下響應REE的異常以及在REE下響應TEE的異常，是以這部分不在這裡展開。 在晶片預設啟動的時候，除了VBR寄存器為0之外，晶片一般處于TEE模式下，是以ROM中使用的一般為TEE的異常/中斷向量表，當程式進入到flash之後，需要重新注冊TEE的異常/中斷向量表，方式如1.2章節描述，完成這部分之後可以在TEE下正常響應TEE的中斷和異常（需要完成相關中斷和異常的使能，不在此處較長的描述）。 如果需要響應REE的中斷，（編譯時已經完成REE的異常/中斷向量表的編譯連結）則有兩種實作方式：1、使用WSC指令，從TEE切換到REE中，然後修改REE的VBR，指向到對應的REE Exp Base Addr，即可以在REE下響應REE的中斷和異常。該方式也支援在TEE下響應REE的中斷。 2、在TEE下修改REE的VBR，直接關聯REE的Exp Base Addr，此時可以在TEE下響應REE的中斷，也可以REE下響應REE下的異常和中斷
文章來源：晶片開放社群
文章連結：
https://occ.t-head.cn/community/post/detail?spm=a2cl5.14300636.0.0.1b87180f3qWo3R&id=616650480654745600