S50非接觸式IC卡性能簡介（M1）
一、 主要名額
- 容量為8K位EEPROM(8192) (8K bit = 16*4*16=1024 byte =1千位元組)1KB
- 分為16個扇區，每個扇區為4塊，每塊16個位元組（16*8=128bit）,以塊為存取機關
- 每個扇區有獨立的一組密碼及通路控制
- 每張卡有唯一序列号，為32位
- 具有防沖突機制，支援多卡操作
- 無電源，自帶天線，内含加密控制邏輯和通訊邏輯電路
- 資料儲存期為10年，可改寫10萬次，讀無限次
- 工作溫度：-20℃~50℃(濕度為90%)
- 工作頻率：13.56MHZ
- 通信速率：106 KBPS
- 讀寫距離：10 cm以内（與讀寫器有關）
一、 存儲結構
1、 M1卡分為16個扇區，每個扇區由4塊（塊0、塊1、塊2、塊3）組成，（我們也将16個扇區的64個塊按絕對位址編号為0~63，存貯結構如下圖所示：
1、 第0扇區的塊0（即絕對位址0塊），它用于存放廠商代碼，已經固化，不可更改。
2、 每個扇區的塊0、塊1、塊2為資料塊，可用于存貯資料。
資料塊可作兩種應用：
★ 用作一般的資料儲存，可以進行讀、寫操作。
★ 用作資料值，可以進行初始化值、加值、減值、讀值操作。
4、 每個扇區的塊3為控制塊，包括了密碼A、存取控制、密碼B。具體結構如下：
密碼A（6位元組） 存取控制（4位元組） 密碼B（6位元組）
5、 每個扇區的密碼和存取控制都是獨立的，可以根據實際需要設定各自的密碼及存取控制。存取控制為4個位元組，共32位，扇區中的每個塊（包括資料塊和控制塊）的存取條件是由密碼和存取控制共同決定的，在存取控制中每個塊都有相應的三個控制位,定義如下：
三個控制位以正和反兩種形式存在于存取控制位元組中，決定了該塊的通路權限（如 進行減值操作必須驗證KEY A，進行加值操作必須驗證KEY B，等等）。三個控制位在存取控制位元組中的位置，以塊0為例：
對塊0的控制：
存取控制（4位元組，其中位元組9為備用位元組）結構如下所示：
6、 資料塊（塊0、塊1、塊2）的存取控制如下：
（KeyA|B 表示密碼A或密碼B，Never表示任何條件下不能實作）
例如：當塊0的存取控制位C10 C20 C30=1 0 0時，驗證密碼A或密碼B正确後可讀；
驗證密碼B正确後可寫；不能進行加值、減值操作。
7、控制塊塊3的存取控制與資料塊（塊0、1、2）不同，它的存取控制如下：
例如：當塊3的存取控制位C13 C23 C33=1 0 0時，表示：
密碼A：不可讀，驗證KEYA或KEYB正确後，可寫（更改）。
存取控制：驗證KEYA或KEYB正确後，可讀、可寫。
密碼B：驗證KEYA或KEYB正确後，可讀、可寫。
三、 工作原理
卡片的電氣部分隻由一個天線和ASIC組成。
天線：卡片的天線是隻有幾組繞線的線圈，很适于封裝到IS0卡片中。
ASIC：卡片的ASIC由一個高速（106KB波特率）的RF接口，一個控制單元和一個8K位EEPROM組成。
工作原理：讀寫器向M1卡發一組固定頻率的電磁波，卡片内有一個LC串聯諧振電路，其頻率與讀寫器發射的頻率相同，在電磁波的激勵下，LC諧振電路産生共振，進而使電容内了電荷，在這個電容的另一端，接有一個單向導通的電子泵，将電容内的電荷送到另一個電容内儲存，當所積累的電荷達到2V時，此電容可做為電源為其它電路提供工作電壓，将卡内資料發射出去或接取讀寫器的資料。
四、 M1射頻卡與讀寫器的通訊
複位應答（Answer to request）
M1射頻卡的通訊協定和通訊波特率是定義好的，當有卡片進入讀寫器的操作範圍時，讀寫器以特定的協定與它通訊，進而确定該卡是否為M1射頻卡，即驗證卡片的卡型。
防沖突機制 (Anticollision Loop)
當有多張卡進入讀寫器操作範圍時，防沖突機制會從其中選擇一張進行操作，未選中的則處于空閑模式等待下一次選卡，該過程會傳回被選卡的序列号。
選擇卡片(Select Tag)
選擇被選中的卡的序列号，并同時傳回卡的容量代碼。
三次互相确認(3 Pass Authentication)
標明要處理的卡片之後，讀寫器就确定要通路的扇區号，并對該扇區密碼進行密碼校驗，在三次互相認證之後就可以通過加密流進行通訊。（在選擇另一扇區時，則必須進行另一扇區密碼校驗。）
對資料塊的操作
讀 (Read)：讀一個塊；
寫 (Write）：寫一個塊；
加（Increment）：對數值塊進行加值；
減（Decrement）：對數值塊進行減值；
存儲（Restore）：将塊中的内容存到資料寄存器中；
傳輸（Transfer）：将資料寄存器中的内容寫入塊中；
中止（Halt）：将卡置于暫停工作狀态；