lzg_ad:EWF RAM Reg模式原理介紹

EWF RAM Reg 模式與 EWF RAM 模式相類似。 它不同于标準的 EWF RAM 模式僅僅在于配置資訊存儲位置由 EWF 卷上更改為系統系統資料庫中。EWF RAM Reg 模式使用以下配置:

EWF 的覆寫層存儲在記憶體中

EWF 卷存儲在系統系統資料庫中

    EWF RAM Reg 模式的覆寫層寫入緩存仍然存在于記憶體中。當 EWF RAM Reg 模式配置完成, EWF 的配置過程将會跳過FAB的過程。

    當 FBA 完成後，你需要手動的編輯系統系統資料庫來啟用 EWF 功能。 系統中将不會建立EWF的卷資訊. EWF RAM 模式僅僅支援一個級别的覆寫層。

    我們常常使用 EWF RAM Reg 模式在以下的環境中:

被保護的存儲媒體僅具有一個分區，或者存儲媒體不能夠被分區；

被保護的存儲媒體為可移動磁盤，例如 CompactFlash（CF卡）, USB, or IEEE 1394 devices；

被保護媒體不能夠支援标準的記憶體覆寫層；

需要最小寫入操作的對讀寫次數有限制的存儲媒體，例如 CompactFlash（CF卡）；

    下圖顯示了 EWF RAM Reg 模式是如何配置到目标裝置上的例子。

    如果你要保護一個以上的磁盤分區，你隻需要送出覆寫層資訊到磁盤分區當系統資料庫資訊已經被儲存。 例如, 如果你有兩個保護分區——C: and D:，你能夠使用 EWF 管理指令去禁用D盤上的覆寫層，并且送出系統資料庫上的更改資訊到C槽。

ewfmgr d: -disable

ewfmgr c: -commit

本文轉自雷志剛 51CTO部落格，原文連結:http://blog.51cto.com/leizhigang/238208