8月27日消息，來自國外媒體的報道，在聯電、台積電等晶圓代工廠紛紛宣布漲價之後，三星電子旗下的晶圓部門也有意加入漲價大潮之中，外界預計三星電子将于第四季度正式開啟漲價，并且還會将部分智能手機AP産能外包。
南韓《經濟日報》在此前援引首爾國立大學教授 Jaeyong Song的表述時稱，由于全球晶片行業的供應持續緊張，三星旗下的晶圓部門近段時間以來一直處于滿載的狀态。為了更好的應對客戶的訂單，三星甚至将Galaxy系列手機的一些應用處理器生産外包了出去。
漲價也并不是空穴來風，除了同行們在近期密集的漲價以外，三星在此前也間接的透露了漲價的消息。
三星副總裁 Suh Byung hoon在上個月的第二季度财報釋出會上曾經表示，三星将使代工價格合理化，同時預計今年三星電子晶圓業務的收入将增長 20% 以上，除了産能的不斷投産以外，漲價将是收入增長的重要來源。
南韓《經濟日報》進一步表示，晶圓廠商的漲價除了會給蘋果等科技巨頭帶來更多的成本以外，還會顯著的影響汽車行業，對于飽受汽車晶片短缺之苦的汽車行業來說，預計成本将進一步上漲。
南韓漢陽大學教授Park Jae gun則表示，為了應對全球晶片荒的局面，晶圓廠商紛紛在産能擴張、研發和EUV 裝置購買方面進行了大規模投資。
雖然長遠來看會達成更多的收入，但這些支出極大的削弱了晶圓廠商現階段的盈利能力。不過為了應對外界的競争，這些投入都被認為是必要的，晶圓廠商們必須先發制人，積極訂購裝置以保持競争力。
此前國外媒體援引供應鍊人士的消息稱，三星采用全環繞栅極半導體（GAA）技術的3nm制程工藝已經不太可能在2023年之前量産，不僅是難度更高的3nmGAP版本，即使是3nmGAE版本也不太現實。
三星此前宣布最早将于2022年量産3nm，這個3nm制程是3GAE版本，也就是3nm gate-all-around early，三星把這個版本稱為先行試錯版。至于可能在2023年正式量産的3nm版本則是3GAP，即3nm gate-all-around plus，也就是3nm工藝的強化版本，二者在量産率和性能上有所差别。
對于三星3nm的真正實力，國外Digitimes網站也給出了詳細的資料分析，結合台積電和英特爾釋出的标準參數可知，台積電的3納米工藝可以做到2.9億顆/平方毫米，三星的3納米工藝隻有1.7 億顆/平方毫米，參數上甚至連英特爾的7nm工藝都比不上。
三星在旗下3nm制程的宣傳上，一直把GAA架構作為主要優勢和賣點，三星表示，采用全環繞栅極架構（Gate-All-Around FET，GAA）的3納米制程技術性能要優于台積電，後者3nm采用的是鳍式場效應架構（FinFET）。GAA架構的半導體能夠提供比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些栅極寬度的需求。
目前對于（Gate-All-Around FET，GAA）架構，台積電也有自己的态度，在2020年的技術研讨會上也表示，台積電稱将在2nm節點引入全環繞栅極（GAA）技術，現階段台積電仍然将采用鳍式場效應架構（FinFET）。
從時間點來看，台積電的3nm制程量産時間已經确定早于三星。而在技術上看，台積電3nm仍然是采用的FinFET架構，而三星則采用全環繞栅極技術（GAA），但由于各家都有不同解釋，加上生産工藝和良品率的不同，實際在3nm工藝上三星也并非能取得技術上的優勢。
本周二，三星電子宣布未來三年内，母公司三星集團将在後疫情時代投資240萬億韓元 (約合1.33萬億人民币) ，擴大公司在生物制藥、人工智能 (AI)、半導體以及機器人領域的足迹，創造1萬個新就業崗位。
而在三星衆多的投資項目中，半導體占據了最重要的地位，大約80%的投資預計将用于半導體業務。
三星希望這筆截至2023年的投資将有助于加強集團在晶片制造等關鍵行業的全球地位，與三星集團在2018年提出的三年期投資政策相比，這筆240萬億韓元的投資在規模上高出了30%。
三星電子對外界表示，晶片行業是南韓經濟的安全闆，三星積極的進行大規模投資也可以被視為一種生存政策，從目前的的市場來看，一旦南韓失去了半導體的競争力，想要東山再起幾乎沒有可能。
三星電子提前執行其非存儲業務投資，似乎是為了明年開始批量生産3納米晶片，進而與台積電和英特爾競争市場佔有率的一種政策。三星已經确認3nm制程會延後到2023年推出，台積電3nm制程則會如期在明年下半年進入量産，盡管在制程技術上三星仍落背景積電，但得益于目前緊張的晶片市場，預計三星晶圓部門的營收仍會有大規模的增長。