不管是對于雲計算還是大資料市場來說，存儲産品都是整個資料中心當中非常重要的一個環節。最近，各家存儲企業先後釋出了最新一個财季的财政報告或預測。EMC公司對今年第三财季持樂觀态度，該公司上周三宣布，維持第三季的業績目标不變，在财務分析年會上，EMC公司的CEO喬.圖茲再次強調了EMC公司通過其不斷擴充的網絡化存儲系統硬體和軟體産品線成為“資訊生命同期管理”技術提供商的計劃。
存儲器價格持續上漲的問題比許多人想像的更複雜...
根據市場分析師表示，動态随機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格正居高不下，而且預計還會更進一步攀升。許多人認為目前的存儲器市場情況隻是暫時的供需不均衡。或者，他們預期當3D
NAND快閃存儲器(flash)的制造趨于成熟後，就能解決目前的市場情況。然而，以DRAM的市況而言，沒人能知道DRAM供應何時會改善。
從需求面來觀察，雖然一些細分市場正在成長，但并未出現殺手級的應用或是特别繁榮的細分市場。是以，問題應該就出在供應面。
據美光(Micron)表示，2017年DRAM供給位元預計成長15-20%，可說是近20年來最低的位元成長率(bit
growth)。較低的位元成長率，主要源于DRAM微縮限制。市場上有好一段時間都沒有任何有關DRAM微縮的消息了。當供給位元成長低于45%時，這就是一個賣方的市場了。是以，DRAM的寡頭壟斷、低位元成長率，以及制造擴張遲緩，導緻長期的供應吃緊。最終，可能隻是DRAM的價格持續增加，而供應面卻不會有任何改善。
NAND市場競争激烈。基于3D NAND将大幅提高生産力的市場預期，所有的NAND廠商都投入了數十億美元于3D
NAND制造。是以，供應過剩預計将持續一段時間。然而，這種期待隻是一種假象。3D
NAND的制造比先前所想像的要困難得多。目前，幾家NAND供應商都得使勁地推出3D NAND。
許多分析師預計，大約在2018年底，當64層和96層3D
NAND快閃存儲器的制造趨于成熟時，市場供應吃緊的情況将會緩解。是以，明年将會有足夠的NAND供應嗎？如圖所示，平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次幂方式呈指數級增加位元單元。相對地，3D
NAND的單元層數(即垂直微縮)則線性增加位元單元。目前，根據摩爾定律，平面NAND符合位元單元的指數級需求成長。然而，平面NAND面對微縮限制，3D
NAND僅以線性位元成長率，将難以達到市場的需求。
64層3D NAND最終将達到與平面NAND平價。對于雙倍和四倍的存儲器容量，3D
NAND應該分别有128層和256層。考慮到長期累積的産量損失、制造困難和低晶圓産出效率，超過64層的存儲器容量擴充對于3D
NAND來說是一大挑戰。如果3D NAND在第1層達到與平面NAND平價，那麼垂直擴充記體容量就會更容易多了。
如同所讨論的，存儲器價格較高不再隻是因為供需失衡。從現在開始，我們很難看到存儲器價格降下來，因為存儲器價格如此之高，主要源于存儲器元件的微縮限制。很諷刺地，存儲器供應商卻以這種存儲器微縮的限制來賺大錢。從2017年上半年的前五大半導體供應商排名來看，其中有三家就是存儲器供應商。例如，海力士(SK
Hynix)和Micro極其仰賴于DRAM，因為這兩家公司的營收分别有75%和65%都來自DRAM市場。
目前，買家掌控了存儲器價格，并将存儲器産品視為商品。如今正是存儲器供應商的黃金時代，高昂的存儲器價格将成為買家的負擔。沒錯，由于存儲器微縮的限制，存儲器将成為賣方市場。我們如何找到可解決高存儲器價格的解決方案呢？在2016和2017年，如ITRS和IRDS等技術開發藍圖強烈建議為連續的電晶體微縮采用全包覆式(GAA)電晶體與單片3D
(M3D) IC，進而降低制造成本。是以，客戶應該主動尋求利用‘GAA +
M3D’的超低成本存儲器元件。否則，客戶将會為存儲器元件付出更多的費用，而如此高的存儲器價格也将會為大部份電子裝置和系統帶來問題。
本文轉自d1net（轉載）