S3C2440内部內建了一個Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性：
l 一個引導啟動單元
l Nand Flash存儲器接口，支援8位或16位的每頁大小為256字，512位元組，1K字和2K位元組的Nand flash
l 軟體模式：使用者可以直接通路Nand Flash存儲器，此特性可以用于Nand Flash存儲器的讀、擦除和程式設計。
l S3C2440支援8/16位的Nand Flash存儲器接口總線
l 硬體ECC生成，檢測和訓示(軟體糾錯)。
l Steppingstone接口，支援大/小端模式的按位元組/半字/字通路。
我用的開發闆是天嵌的TQ2440，闆子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A，它是8位的Nand flash。本文隻介紹Nand Flash的電路原理和Nand Flash的讀、寫、擦除等基本操作，暫不涉及Nand Flash啟動程式的問題。
Nand Flash的電路連接配接如圖 1所示：
圖 1 Nand Flash電路原理
上圖的左邊為K9F2G08U0A與2440的連接配接圖，原理方面就不多介紹，去看看datasheet估計就懂得了，右邊的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引腳NCON，GPG13，GPG14和GPG15用來設定Nand Flash的基本資訊，Nand控制器通過讀取配置引腳的狀态擷取外接的Nand Flash的配置資訊，圖 2是這四個配置引腳的定義：
圖 2 Nand控制配置引腳資訊
由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位，頁大小為2048位元組，需要5個尋址指令，是以NCON、GPG13和GPG14應該接高電平，GPG15應該接低電平。
K9F2G08U0A沒有位址或資料總線，隻有8個IO口，這8個IO口用于傳輸指令、位址和資料。K9F2G08U0A主要以page（頁）為機關進行讀寫，以block（塊）為機關進行擦除。每一頁中又分為main區和spare區，main區用于正常資料的存儲，spare區用于存儲一些附加資訊，如塊好壞的标記、塊的邏輯位址、頁内資料的ECC校驗和等。K9F2G08U0A的存儲陣列如圖 3所示：
圖 3 K9F2G08U0A内部存儲陣列
由上圖，我們可以知道：K9F2G08U0A的一頁為（2K＋64）位元組（2K表示的是main區容量， 64表示的是spare區容量），它的一塊為64頁，而整個裝置包括了2048個塊。這樣算下來一共有2112M位容量，如果隻算main區容量則有256M位元組（即256M×8位）。
圖 4 K9F2G08U0A位址序列
要實作用8個IO口來要通路這麼大的容量，如圖 4所示：K9F2G08U0A規定了用5個周期來實作。第一個周期通路的位址為A0~A7；第二個周期通路的位址為A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此時IO4~IO7必須為低電平；第三個周期通路的位址為A12~A19；第四個周期通路的位址為A20~A27；第五個周期通路的位址為A28，它作用在IO0上，而此時IO1~IO7必須為低電平。前兩個周期傳輸的是列位址，後三個周期傳輸的是行位址。通過分析可知，列位址是用于尋址頁内空間，行位址用于尋址頁，如果要直接通路塊，則需要從位址A18開始。由于所有的指令、位址和資料全部從8位IO口傳輸，是以Nand flash定義了一個指令集來完成各種操作。有的操作隻需要一個指令（即一個周期）即可，而有的操作則需要兩個指令（即兩個周期）來實作。K9F2G08U0A的指令說明如圖 5所示：
圖 5 K9F2G08U0A指令表
為了友善使用，我們宏定義了K9F2G08U0A的常用指令
#define CMD_READ1 0x00 //頁讀指令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //頁讀指令周期2
#define CMD_READID 0x90 //讀ID指令
#define CMD_WRITE1 0x80 //頁寫指令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //頁寫指令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //塊擦除指令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0 //塊擦除指令周期2
#define CMD_STATUS 0x70 //讀狀态指令
#define CMD_RESET 0xff //複位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意讀指令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意讀指令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意寫指令
接下來介紹幾個Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF（Nand Flash配置寄存器），NFCONT（Nand Flash控制寄存器），NFCMMD（Nand Flash指令集寄存器），NFADDR（Nand Flash位址集寄存器），NFDATA（Nand Flash資料寄存器），NFMECCD0/1（Nand Flash的main區ECC寄存器），NFSECCD（Nand Flash的spare區ECC寄存器），NFSTAT（Nand Flash操作狀态寄存器），NFESTAT0/1（Nand Flash的ECC狀态寄存器），NFMECC0/1（Nand Flash用于資料的ECC寄存器），以及NFSECC（Nand Flash用于IO的ECC寄存器）。
（1）NFCONF:2440的NFCONF寄存器是用來設定NAND Flash的時序參數TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的[3:0]是隻讀位，用來訓示外部所接的Nand Flash的配置資訊，它們是由配置引腳NCON，GPG13，GPG14和GPG15所決定的（比如說K9F2G08U0A的配置為NCON、GPG13和GPG14接高電平，GPG15接低電平，是以[3:0]位狀态應該是1110）。
（2）NFCONT：用來使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引腳信号nFCE、初始化ECC。它還有其他功能，在一般的應用中用不到，比如鎖定NAND Flash。
（3）NFCMMD：對于不同型号的Flash，操作指令一般不一樣。參考前面介紹的K9F2G08U0A指令序列。
（4）NFADDR:當寫這個寄存器時，它将對Flash發出位址信号。隻用到低8位來傳輸，是以需要分次來寫入一個完整的32位位址，K9F2G08U0A的位址序列在圖4已經做了詳細說明。
（5）NFDATA:隻用到低8位，讀、寫此寄存器将啟動對NAND Flash的讀資料、寫資料操作。
（6）NFSTAT:隻用到位0，用來檢測NAND是否準備好。0：busy，1：ready。
NFCONF寄存器使用TACLS、TWRPH0、TWRPH1這3個參數來控制NAND Flash信号線CLE/ALE與寫控制信号nWE的時序關系，它們之間的關系如圖6和圖7所示：
圖6 CLE/ALE時序圖
圖7 nWE和nRE時序圖
TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續時間，TWRPH0為nWE的有效持續時間，TWRPH1為nWE無效到CLE/ALE無效之間的持續時間，這些時間都是以HCLK為機關的。通過查閱K9F2G08U0A的資料手冊，我們可以找到并計算與S3C2440相對應的時序：K9F2G08U0A中的Twp與TWRPH0相對應，Tclh與TWRPH1相對應， TACLS應該是與Tcls相對應。K9F2G08U0A給出的都是最小時間， 2440隻要滿足它的最小時間即可。TACLS、TWRPH0、TWRPH1這三個變量取值大一些會更保險，在這裡，這三個值分别取1，2和0。
下面就開始詳細介紹K9F2G08U0A的基本操作，包括複位，讀ID，頁讀、寫資料，随意讀、寫資料，塊擦除等。
為了更好地應用ECC和使能Nand Flash片選，我們還需要一些宏定義：
#define NF_nFCE_L() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_CE_L() NF_nFCE_L() //打開nandflash片選
#define NF_nFCE_H() {rNFCONT |= (1
#define NF_CE_H() NF_nFCE_H() //關閉nandflash片選
#define NF_RSTECC() {rNFCONT |= (1
#define NF_MECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_MECC_Lock() {rNFCONT |= (1
#define NF_SECC_UnLock() {rNFCONT &= ~(1
#define NF_SECC_Lock() {rNFCONT |= (1
NFSTAT是另一個比較重要的寄存器，它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙，第2位用于檢測RnB引腳信号：
#define NF_WAITRB() {while(!(rNFSTAT&(1
#define NF_CLEAR_RB() {rNFSTAT |= (1
#define NF_DETECT_RB() {while(!(rNFSTAT&(1
//等待RnB信号變高，即不忙
NFCMMD，NFADDR和NFDATA分别用于傳輸指令，位址和資料，為了友善起見，我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作：
#define NF_CMD(data) {rNFCMD = (data); } //傳輸指令
#define NF_ADDR(addr) {rNFADDR = (addr); } //傳輸位址
#define NF_RDDATA() rNFDATA) //讀32位資料
#define NF_RDDATA8() (rNFDATA8) //讀8位資料
#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA = (data); } //寫32位資料
#define NF_WRDATA8(data) {rNFDATA8 = (data); } //寫8位資料
首先，是初始化操作
void rNF_Init(void)
{
rNFCONF = (TACLS
rNFCONT =
(0
rNF_Reset();//複位晶片
}
複位操作，寫入複位指令
static void rNF_Reset()
NF_CE_L(); //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB(); //清除RnB信号
NF_CMD(CMD_RESET); //寫入複位指令
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号變高，即不忙
NF_CE_H(); //關閉nandflash片選
讀取K9F2G08U0A晶片ID的操作如下：時序圖在datasheet的figure18。首先需要寫入讀ID指令(0x90)，然後再寫入0x00位址，并等待晶片就緒，就可以讀取到一共五個周期的晶片ID，第一個周期為廠商ID，第二個周期為裝置ID，第三個周期至第五個周期包括了一些具體的該晶片資訊，函數如下
static char rNF_ReadID()
char pMID;
char pDID;
char cyc3, cyc4, cyc5;
NF_nFCE_L(); //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READID); //讀ID指令
NF_ADDR(0x0); //寫0x00位址
for ( i = 0; i
//讀五個周期的ID
pMID = NF_RDDATA8(); //廠商ID：0xEC
pDID = NF_RDDATA8(); //裝置ID：0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8(); //0x10
cyc4 = NF_RDDATA8(); //0x95
cyc5 = NF_RDDATA8(); //0x44
NF_nFCE_H(); //關閉nandflash片選
return (pDID);
下面介紹Nand Flash讀操作，讀操作是以頁為機關進行的。如果在讀取資料的過程中不進行ECC校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀指令的兩個周期之間寫入要讀取的頁位址，然後讀取資料即可。如果為了更準确地讀取資料，則在讀取完資料之後還要進行ECC校驗判斷，以确定所讀取的資料是否正确。
在上文中已經介紹過，Nand Flash的每一頁有兩區：main區和spare區，main區用于存儲正常的資料，spare區用于存儲其他附加資訊，其中就包括ECC校驗碼。當我們在寫入資料的時候，我們就計算這一頁資料的ECC校驗碼，然後把校驗碼存儲到spare區的特定位置中，在下次讀取這一頁資料的時候，同樣我們也計算ECC校驗碼，然後與spare區中的ECC校驗碼比較，如果一緻則說明讀取的資料正确，如果不一緻則不正确。ECC的算法較為複雜，好在S3C2440能夠硬體産生ECC校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。S3C2440既可以産生main區的ECC校驗碼，也可以産生spare區的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口，是以S3C2440共産生4個位元組的main區ECC碼和2個位元組的spare區ECC碼。在這裡我們規定，在每一頁的spare區的第0個位址到第3個位址存儲main區ECC，第4個位址和第5個位址存儲spare區ECC。
産生ECC校驗碼的過程為：在讀取或寫入哪個區的資料之前，先解鎖該區的ECC，以便産生該區的ECC。在讀取或寫入完資料之後，再鎖定該區的ECC，這樣系統就會把産生的ECC碼儲存到相應的寄存器中。main區的ECC儲存到NFMECC0/1中（因為K9F2G08U0A是8位IO口，是以這裡隻用到了NFMECC0），spare區的ECC儲存到NFSECC中。對于讀操作來說，我們還要繼續讀取spare區的相應位址内容，以得到上次寫操作時所存儲的main區和spare區的ECC，并把這些資料分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最後我們就可以通過讀取NFESTAT0/1（因為K9F2G08U0A是8位IO口，是以這裡隻用到了NFESTAT0）中的低4位來判斷讀取的資料是否正确，其中第0位和第1位為main區訓示錯誤，第2位和第3位為spare區訓示錯誤。
下面是一段具體的頁讀操作程式：
U8 rNF_ReadPage( U32 page_number )
U32 i, mecc0, secc;
NF_RSTECC(); //複位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解鎖main區ECC
NF_nFCE_L();//使能晶片
NF_CLEAR_RB();//清除RnB
NF_CMD(CMD_READ1); //頁讀指令周期1，0x00
//寫入5個位址周期
NF_ADDR(0x00); //列位址A0-A7
NF_ADDR(0x00); //列位址A8-A11
NF_ADDR((addr) & 0xff); //行位址A12-A19
NF_ADDR((addr >> 8) & 0xff); //行位址A20-A27
NF_ADDR((addr >> 16) & 0xff); //行位址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //頁讀指令周期2，0x30
NF_DETECT_RB(); ////等待RnB信号變高，即不忙
for (i = 0; i
{
buf[i] = NF_RDDATA8();//讀取一頁資料内容
}
NF_MECC_Lock(); //鎖定main區ECC值
NF_SECC_UnLock(); //解鎖spare區ECC
mecc0=NF_RDDATA(); //讀spare區的前4個位址内容，即第2048~2051位址，這4個位元組為main區的ECC
//把讀取到的main區的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應位置内
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);
NF_SECC_Lock(); //鎖定spare區的ECC值
secc=NF_RDDATA(); //繼續讀spare區的4個位址内容，即第2052~2055位址，其中前2個位元組為spare區的ECC值
//把讀取到的spare區的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應位置内
rNFSECCD=((secc&0xff00)
NF_nFCE_H(); //關閉nandflash片選
//判斷所讀取到的資料是否正确
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66; //正确
else
return 0x44; //錯誤
這段程式是把某一頁的内容讀取到全局變量數組buffer中。該程式的輸入參數直接就為K9F2G08U0A的第幾頁，例如我們要讀取第128064頁中的内容，可以調用該程式為：rNF_ReadPage(128064)。由于第128064頁是第2001塊中的第0頁（128064＝2001×64＋0），是以為了更清楚地表示頁與塊之間的關系，也可以寫為：rNF_ReadPage(2001*64)。
頁寫操作的大緻流程為：在兩個寫指令周期之間分别寫入頁位址和資料，當然如果為了保證下次讀取該資料時的正确性，還需要把main區的ECC值和spare區的ECC值寫入到該頁的spare區内。然後我們還需要讀取狀态寄存器，以判斷這次寫操作是否正确。下面就給出一段具體的頁寫操作程式，其中輸入參數也是要寫入資料到第幾頁：
U8 rNF_WritePage(U32 page_number)
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6); //判斷該塊是否為壞塊
if(temp == 0x33)
return 0x42; //是壞塊，傳回
NF_RSTECC(); //複位ECC
NF_MECC_UnLock(); //解鎖main區的ECC
NF_nFCE_L(); //打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_WRITE1); //頁寫指令周期1
//寫入5個位址周期
NF_ADDR(0x00); //列位址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列位址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行位址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行位址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行位址A28
for (i = 0; i
NF_WRDATA8((char)(i+6));
NF_MECC_Lock(); //鎖定main區的ECC值
mecc0=rNFMECC0; //讀取main區的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼由字型轉換為位元組型，并儲存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);
NF_SECC_UnLock(); //解鎖spare區的ECC
//把main區的ECC值寫入到spare區的前4個位元組位址内，即第2048~2051位址
for(i=0;i
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
NF_SECC_Lock(); //鎖定spare區的ECC值
secc=rNFSECC; //讀取spare區的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼儲存到全局變量數組ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare區的ECC值繼續寫入到spare區的第2052~2053位址内
for(i=4;i
NF_CMD(CMD_WRITE2); //頁寫指令周期2
delay(1000); //延時一段時間，以等待寫操作完成
NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀态指令
//判斷狀态值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));
NF_nFCE_H(); //關閉Nand Flash片選
//判斷狀态值的第0位是否為0，為0則寫操作正确，否則錯誤
if (stat & 0x1)
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//标注該頁所在的塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43 //标注壞塊失敗
return 0x44; //寫操作失敗
return 0x66; //寫操作成功
該段程式先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最後寫操作失敗後，還要标注該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函數rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在後面介紹。我們再總結一下該程式所傳回數值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，并且在标注該頁所在的塊為壞塊時也失敗；0x44：表示寫操作失敗，但是标注壞塊成功；0x66：寫操作成功。
擦除是以塊為機關進行的，是以在寫位址周期是，隻需寫三個行周期，并且要從A18開始寫起。與寫操作一樣，在擦除結束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要标注壞塊的問題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程式：
U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)
char stat, temp;
temp = rNF_IsBadBlock(block_number); //判斷該塊是否為壞塊
return 0x42; //是壞塊，傳回
NF_nFCE_L(); //打開片選
NF_CMD(CMD_ERASE1); //擦除指令周期1
//寫入3個位址周期，從A18開始寫起
NF_ADDR((block_number
NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行位址A20~A27
NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行位址A28
NF_CMD(CMD_ERASE2); //擦除指令周期2
delay(1000); //延時一段時間
NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀态指令
//判斷狀态值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同
stat = NF_RDDATA8();
NF_nFCE_H(); //關閉Nand Flash片選
//判斷狀态值的第0位是否為0，為0則擦除操作正确，否則錯誤
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6); //标注該塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43 //标注壞塊失敗
else
return 0x44; //擦除操作失敗
return 0x66; //擦除操作成功
該程式的輸入參數為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調用該函數為：rNF_EraseBlock(2001)。
K9F2G08U0A除了提供了頁讀和頁寫功能外，還提供了頁内位址随意讀、寫功能。頁讀和頁寫是從頁的首位址開始讀、寫，而随意讀、寫實作了在一頁範圍内任意位址的讀、寫。随意讀操作是在頁讀操作後輸入随意讀指令和頁内列位址，這樣就可以讀取到列位址所指定位址的資料。随意寫操作是在頁寫操作的第二個頁寫指令周期前，輸入随意寫指令和頁内列位址，以及要寫入的資料，這樣就可以把資料寫入到列位址所指定的位址内。下面兩段程式實作了随意讀和随意寫功能，其中随意讀程式的輸入參數分别為頁位址和頁内位址，輸出參數為所讀取到的資料，随意寫程式的輸入參數分别為頁位址，頁内位址，以及要寫入的資料。
U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)
NF_nFCE_L(); //打開Nand Flash片選
NF_CLEAR_RB(); //清RnB信号
NF_CMD(CMD_READ1); //頁讀指令周期1
//寫入5個位址周期
NF_ADDR(0x00); //列位址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列位址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行位址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行位址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行位址A28
NF_CMD(CMD_READ2); //頁讀指令周期2
NF_DETECT_RB(); //等待RnB信号變高，即不忙
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1); //随意讀指令周期1
//頁内位址
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列位址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列位址A8~A11
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2); //随意讀指令周期2
return NF_RDDATA8(); //讀取資料
U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)
U8 temp,stat;
NF_CMD(CMD_WRITE1); //頁寫指令周期1
NF_ADDR(0x00); //列位址A0~A7
NF_ADDR(0x00); //列位址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行位址A12~A19
NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE); //随意寫指令
NF_ADDR((char)(add&0xff)); //列位址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f)); //列位址A8~A11
NF_WRDATA8(dat); //寫入資料
NF_CMD(CMD_WRITE2); //頁寫指令周期2
delay(1000); //延時一段時間
NF_CMD(CMD_STATUS); //讀狀态指令
stat = NF_RDDATA8();
//判斷狀态值的第0位是否為0，為0則寫操作正确，否則錯誤
return 0x44; //失敗
return 0x66; //成功
下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及标注壞塊的那兩個程式：rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這裡，我們定義在spare區的第6個位址（即每頁的第2054位址）用來标注壞塊，0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時，利用随意讀指令來讀取2054位址的内容是否為0x44，要标注壞塊時，利用随意寫指令來向2054位址寫0x33。下面就給出這兩個程式，它們的輸入參數都為塊位址，也就是即使僅僅一頁出現問題，我們也标注整個塊為壞塊。
U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)
return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);
U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)
U8 result;
result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);
if(result == 0x44)
return 0x21; //寫壞塊标注失敗
return 0x60; //寫壞塊标注成功
關于Nand Flash的基本操作就介紹到這吧