SSD兩年内替代HDD？貌似不靠譜

容量和價格是影響閃存存儲普及的最主要原因，随着閃存技術的突破，未來閃存存儲将會成為主流，這是不争的事實。但是，想要全面替代hdd，并不容易。

最近，techspot釋出消息稱，ssd将于兩年内突破hdd的容量/價格“臨界點”。文章指出，information week的一份新報告，随着3d nand技術的發展，固态硬碟不僅容量會增加、其價格還會“直線下降”。固态硬碟(ssd)的容量将于2016年趕上機械硬碟(hdd)的水準，而首款30tb的ssd産品亦有望于2018年面世。

對于衆多企業來講，如果真像techspot預測的那樣，絕對是利好的消息。但筆者所關心的是，ssd真能于兩年之内替代hdd，恐怕沒有那麼簡單!

在針對這一問題展開讨論之前，先來看一下ssd的優勢以及最近在技術方面有哪些新的突破。

談到ssd的優勢，除了讀寫性能較hdd有了質的飛躍外，功耗、發熱量、體積等方面也有着很大的優勢，尤其在大型的資料中心，全面采用ssd能夠節省很多成本，如電力、散熱等。

在技術方面，最初的nand flash采用的是2d平面技術，雖然制造技術已經達到了15nm的先進水準(未來甚至會将制造技術提升至9nm)，不過在其發展過程中已經遇到了嚴重的瓶頸——每個閃存儲存單元儲存的電子越來越少，抗磨損(每次寫入、擦除，需要高電壓，材料對電子控制能力随之變弱)的備援電子減少，嚴重影響閃存耐久。雖然随着制造技術的提升，2d nand flash機關面積内可以存儲更多的電子，能夠帶來存儲容量的提升。但是，越先進的工藝，nand的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，這會造成制造成本的提高，以緻于達到某個點之後制程工藝已經無法帶來優勢了。相比之下，3d nand就解決了這一問題。

何為3d nand呢?顧名思義，就是閃存的立體堆疊技術。intel此前曾用平房和樓房的例子比較直覺的介紹了3d nand技術，非常容易了解。intel表示，普通nand是平房，那麼3d nand就是高樓大廈，建築面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。由于閃存廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3d nand閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm nand容量密度為1.28gb/mm2，三星32層堆棧的3d nand可以輕松達到1.87gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8gb/mm2。另外，在剛剛過去的7月份，東芝率先推出64層堆棧的3d nand，這意味着，閃存的成本和容量将會進一步拉低，拉響了新一低3d nand閃存進入存儲市場的号角。

雖然3d nand讓閃存廠商看到了希望，但想要在兩年内取代hdd，絕非易事。

首先，3d nand技術還處于起步階段，并不成熟。即使在未來兩年内，這項技術已經得到成熟的應用，但新産品在上市之初，價格也不會太便宜，不會引起企業的大面積采購。

其次，新産品取代老産品，必須獲得充分的應用驗證，保證足夠的可靠性、可用性和安全性，這需要一個較長的周期，特别在企業級市場。即使3d nand閃存能夠盡快投入應用當中，其成熟期最快也得需要一兩年的時間。

再次，機械硬碟的發展并未停滞不前，很多廠商還在繼續深挖垂直記錄(pmr)、疊瓦式磁記錄(smr)、充氦，推進熱輔助磁記錄(hamr)、二維磁記錄(tdmr)等，其中後者有望在兩三年内商用，而前者雖然提了很久但依然比較遙遠。

是以，筆者認為，ssd在未來兩年内全部取低ssd，基本上是不可能的。

不過，在企業的關鍵性業務上，比如很多的網際網路、金融等企業，ssd已經開始逐漸占據主導地位。但是，在非關鍵性業務上，hdd仍然占據主導地位。

至于存儲的發展方向預測，目前來看ssd絕對是未來的主流。不過，技術的發展速度太快了，誰能保證在未來會不會出現性能更強、成本更低的新技術和新産品。

原文釋出時間為：2016年8月24日

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