在近日國際固态電路大會（isscc）上，東芝和sandisk公司聯合宣布将開始使用一種超高密度nand閃存技術。
這種技術稱為sandisk x4（4-bit-per-cell），每單元4位資訊存儲技術。這種技術使用特殊的記憶體控制器，可以在保證速度的同時整合更高密度的閃存。在單晶片上，東芝和sandisk可以整合最大8gb閃存，且仍能保持傳輸速度7.8mb/s不變。
通常單個閃存卡能封裝4個這樣的高密度晶片，而高端閃存卡則可以在此基礎上增加一倍的存儲容量至64gb。x4技術的使用主要得益于sandisk的43nm生産工藝，因為東芝公司去年秋天才完成了32gb閃存卡。
作者：alright
來源：51cto